[發明專利]基板處理設備

在審

• 申請號: 202110333560.9
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113471048A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 沈光輔;尹芝勛;申東輝;吳賢優;姜佳嵐
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 闞梓瑄

本文公開了一種用于處理基板的設備。該設備包括：工藝處理單元，用于提供在其中執行基板處理的處理空間；以及產生等離子體的等離子體產生單元，其中，所述等離子體產生單元包括：等離子體室，具有等離子體產生空間；氣體供應單元，用于將處理氣體供應到等離子體產生空間；功率施加單元，用于通過使處理氣體離開等離子體產生空間而產生等離子體；擴散室，布置在等離子體室的下方，并且具有擴散空間，該擴散空間用于擴散在等離子體產生空間中產生的等離子體和/或供應至等離子體產生空間的處理氣體，以將其均勻地輸送至處理空間，其中具有至少一個穿孔的擴散板可以布置在擴散空間中。

技術領域

本公開涉及一種基板處理設備，更具體地，涉及一種使用等離子體處理基板的基板處理設備。

背景技術

等離子體是指由離子、電子、自由基等組成的電離氣體。等離子體可能是通過使用高溫熱、強電場或RF電磁場產生的。半導體器件制造工藝包括使用等離子體來去除薄膜的灰化工藝或蝕刻工藝。灰化或蝕刻通過使等離子體中包含的離子或自由基與基板上的膜發生碰撞來進行。

圖1是示出傳統的等離子體處理設備的視圖。參照圖1，等離子體處理設備2000包括處理單元2100和等離子體產生單元2300。

處理單元2100使用在等離子體產生單元2300中產生的等離子體來處理基板W。處理單元2100包括殼體2110、支撐單元2120和擋板2130。殼體2110包括內部空間2112和支撐單元2120，支撐單元2120在內部空間2112中支撐基板W。在擋板2130上形成有多個孔，并且在支撐單元2120的上方設置擋板2130。

等離子體產生單元2300產生等離子體。等離子體產生單元2300包括等離子體產生室2310、氣體供應單元2320、電力施加單元2330和擴散室2340。從氣體供應單元2320供給的處理氣體G通過電力施加單元2330施加的高頻功率被激發成等離子體狀態。產生的等離子體通過擴散室2340供應到內部空間2112。供應到內部空間2112的等離子體P和處理氣體被傳送到基板W以處理基板W。然后，等離子體P和/或處理氣體G通過形成在殼體2110上的孔2114排放到外部。

當在常規等離子體處理設備2000中繼續進行基板W的處理時，擋板2130的中心區域A的溫度升高。具體地，等離子體P和/或處理氣體G通過等離子體產生室2310和擴散室2340被輸送到擋板2130。這是因為即使這樣的等離子體P和/或處理氣體G流入擴散室中E而可能發生擴散，但由于流動的等離子體P和/或處理氣體G的慣性，擴散相對集中在擋板2130的中心區域。在這種情況下，擋板2130的中心區域A的溫度可能會過度增加，并且其形狀可能會變形。另外，等離子體P和/或處理氣體G可能會集中在由支撐單元2120支撐的基板W的中心區域中，從而降低了處理基板W的均勻性。

發明內容

本公開旨在提供一種能夠有效地處理基板的設備。

本公開還旨在提供一種能夠在基板上進行均勻的等離子體處理的基板處理設備。

此外，本公開旨在提供一種能夠使擋板的中心區域中的溫度的過度升高最小化的基板處理設備。

本公開要解決的問題不限于此，并且本領域普通技術人員將從本說明書和附圖中清楚地理解未提及的其他問題。

本公開的示例性實施方式提供了一種用于處理基板的設備。基板處理設備，包括：工藝處理單元，用于提供在其中執行基板處理的處理空間；等離子體產生單元，用于產生等離子體，其中，所述等離子體產生單元包括：等離子體室，具有等離子體產生空間；氣體供應單元，用于將處理氣體供應到所述等離子體產生空間；功率施加單元，用于通過使所述處理氣體離開所述等離子體產生空間而產生等離子體；擴散室，布置在所述等離子體室的下方，并具有擴散空間，該擴散空間用于擴散在所述等離子體產生空間中產生的等離子體和/或供應至所述等離子體產生空間的處理氣體，以將其均勻地輸送至所述處理空間，其中，在所述擴散空間中布置有具有至少一個穿孔的擴散板。