[發明專利]半導體封裝設備和其制造方法

在審

• 申請號: 202110333528.0
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113871356A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 郭彥成;楊韶綸
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L23/49;B81B7/02;B81B7/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發明提供一種半導體封裝設備和制造半導體封裝設備的方法。所述半導體封裝設備包含襯底、第一電子組件、第一介電層和第一孔洞。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一電子組件安置于所述第一表面上。所述第一介電層安置于所述第二表面上并且具有遠離所述襯底的第三表面。所述第一孔洞從所述第一介電層和所述襯底延伸。所述第一孔洞與所述第一電子組件大體上對準。

技術領域

本公開涉及半導體封裝設備和其制造方法，并且涉及包含電子組件的半導體封裝設備和其制造方法。

背景技術

半導體封裝設備可包含襯底和附接到其的多個設備。襯底可具有促進設備中的一個的外部信號接收的穿通孔。然而，由于穿通孔自身可變成設備污染的通道，因此穿通孔會限制一系列后續制造操作。在一些技術中，塑料構件可附接到襯底，具有與襯底的穿通孔對準的穿通孔以便促進外部信號接收。然而，難以識別將塑料構件恰當地附接到襯底的適當粘附劑，且技術上難以將襯底的穿通孔與塑料構件的穿通孔對準在可容許的范圍內。

發明內容

在一些實施例中，一種半導體封裝設備包含襯底、第一電子組件、第一介電層和第一孔洞。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一電子組件安置于所述第一表面上。所述第一介電層安置于所述第二表面上并且具有遠離所述襯底的第三表面。所述第一孔洞延伸穿過所述第一介電層和所述襯底。所述第一孔洞與所述第一電子組件大體上對準。

在一些實施例中，一種半導體封裝設備包含襯底、第一微機電系統(MEMS)設備、第二MEMS設備、第一孔洞和第二孔洞。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。第一MEMS設備安置于第一表面上。第二MEMS設備安置于第二表面上。第一孔洞包含延伸穿過襯底并且與第一MEMS設備大體上對準的第一區段。第二孔洞延伸穿過襯底并且與第二MEMS設備大體上對準。

在一些實施例中，一種制造半導體封裝設備的方法包含：提供具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的襯底；在所述第二表面上形成第一介電層且所述第一介電層具有遠離所述襯底的第三表面；形成從所述第三表面延伸到所述第一表面的第一孔洞；和在所述第一表面上安置第一電子組件。所述第一孔洞與所述第一電子組件大體上對準。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下具體實施方式易于理解本公開的一些實施例的各方面。應注意，各種結構可能未按比例繪制，且出于論述清楚起見，可任意增大或減小各種結構的尺寸。

圖1說明根據本公開的一些實施例的半導體封裝設備的橫截面視圖。

圖2A說明根據本公開的一些實施例的如圖1中所示的虛線框B1的放大視圖。

圖2B說明根據本公開的一些實施例的如圖1中所示的虛線框B1的放大視圖。

圖3說明根據本公開的一些實施例的半導體封裝設備的橫截面視圖。

圖4說明根據本公開的一些實施例的半導體封裝設備的橫截面視圖。

圖5說明根據本公開的一些實施例的半導體封裝設備的橫截面視圖。

圖6說明根據本公開的一些實施例的半導體封裝設備的橫截面視圖。

圖7說明根據本公開的一些實施例的用于制造半導體封裝設備的方法的實例的一或多個階段。

圖8說明根據本公開的一些實施例的用于制造半導體封裝設備的方法的實例的一或多個階段。

圖9說明根據本公開的一些實施例的用于制造半導體封裝設備的方法的實例的一或多個階段。

圖10說明根據本公開的一些實施例的用于制造半導體封裝設備的方法的實例的一或多個階段。

圖11說明根據本公開的一些實施例的用于制造半導體封裝設備的方法的實例的一或多個階段。