[發(fā)明專利]一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110332957.6 | 申請日： | 2021-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN112877213B | 公開（公告）日： | 2023-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王艷紅;武京治;冀寶慶;李孟委 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號： | C12M3/00 | 分類號： | C12M3/00;C12M1/42;B01L3/00 |
| 代理公司： | 太原榮信德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 楊凱 |
| 地址： | 030051*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 神經(jīng)元 定向 生長 神經(jīng) 赫茲 信號 激勵 集成 芯片 | ||
1.一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片，其特征在于，包括：傳感芯片單元和微流控細胞培養(yǎng)單元，所述傳感芯片單元包括二氧化硅基底和金膜層，金膜層形成在二氧化硅基底上，金膜層上刻蝕有納米孔周期陣列結(jié)構(gòu)，納米孔周期陣列結(jié)構(gòu)由周期性陣列排布的多組雙納米孔構(gòu)成，每組雙納米孔包括兩個相交的納米孔，相鄰兩組雙納米孔之間隔設(shè)納米級間隙；所述微流控細胞培養(yǎng)單元形成于金膜層上，所述微流控細胞培養(yǎng)單元由兩個相互連通的細胞池、兩個相互連通的存儲池及引導(dǎo)神經(jīng)元從細胞池到存儲池方向的生長的微流通道組成，每組雙納米孔上方均對應(yīng)有微流通道；所述微流通道內(nèi)由生物生長因子修飾，調(diào)控神經(jīng)元生長速度；所述微流通道沿軸向形成若干個帶有鋸齒形、三角形或心形的微納型腔；每個所述的納米孔的直徑為200nm；所述雙納米孔相交形成距離為40nm的兩尖端。
2.如權(quán)利要求1所述一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片，其特征在于：所述微流通道的寬度為10μm。
3.如權(quán)利要求1所述一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片，其特征在于：所述金膜層厚度為100nm。
4.如權(quán)利要求1所述一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片，其特征在于：所述微流控細胞培養(yǎng)單元的制作材料可采用PDMS、SU8或Flexdym。
5.如權(quán)利要求1所述一種神經(jīng)元定向生長和神經(jīng)太赫茲信號激勵集成芯片，其特征在于：所述每組雙納米孔與相鄰雙納米孔之間的中心間距為650nm。
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