[發明專利]取向誘導生長的硒化銻薄膜及其制備方法與薄膜太陽電池

在審

• 申請號: 202110332393.6
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113088882A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 梁廣興;陳國杰;林錦鴻;陳爍;鄭壯豪
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/0392;H01L31/072
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 朱陽波;吳志益

1.一種取向誘導生長的硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

將硒化銻和襯底放置于空間升華爐內，通過近空間升華法在所述襯底上沉積硒化銻，得到硒化銻前驅膜；

將硒源和所述硒化銻前驅膜放置于雙溫區管式爐中，通過硒源對所述硒化銻前驅膜進行硒化退火，得到沉積于所述襯底上的硒化銻薄膜。

2.根據權利要求1所述的取向誘導生長的硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，所述近空間升華法的條件為：所述硒化銻的溫度為500～520℃，所述襯底的溫度為250～300℃，升華時間為8～12min。

3.根據權利要求2所述的取向誘導生長的硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，所述硒化銻和所述襯底的距離為5～10mm，所述空間升華爐內的氣壓為0.4Pa～0.6Pa。

4.根據權利要求1所述的取向誘導生長的硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，硒化退火時所述硒源的溫度為390～410℃，所述硒化銻前驅膜的溫度為410～430℃。

5.一種取向誘導生長的硒化銻薄膜，其特征在于，采用如權利要求1～4任一項所述的取向誘導生長的硒化銻薄膜的制備方法制備而成。

6.一種薄膜太陽電池，其特征在于，包括如權利要求5所述的取向誘導生長的硒化銻薄膜，其中，所述襯底包括玻璃和沉積于所述玻璃上的鉬薄膜層，所述硒化銻薄膜沉積于所述鉬薄膜層上。

7.根據權利要求6所述的薄膜太陽電池，其特征在于，還包括：沉積于所述硒化銻薄膜上的硫化鎘薄膜層，沉積于所述硫化鎘薄膜層上的透明導電層，沉積于所述透明導電層和所述鉬薄膜層上的背電極。

8.根據權利要求7所述的薄膜太陽電池，其特征在于，所述硫化鎘薄膜層的制備方法包括：

將所述硒化銻薄膜放置于裝有硫酸鎘、氨水和去離子水的混合溶液的燒杯中，并將所述燒杯放置于60℃～80℃的水浴中；

向所述燒杯中加入硫脲，攪拌條件下，得到沉積于所述硒化銻薄膜上的硫化鎘薄膜層。

9.根據權利要求8所述的硒化銻薄膜太陽電池，其特征在于，所述硫化鎘薄膜層的制備方法還包括：

對所述硫化鎘薄膜層進行熱處理；其中，所述熱處理條件為：在惰性氣氛中350℃～450℃熱處理10～20min。

10.根據權利要求7所述的薄膜太陽電池，其特征在于，所述透明導電層為透明導電氧化物層，所述透明導電層的厚度為100～500nm；所述背電極為金和鎳中的至少一種，所述背電極厚度為100～500nm。