[發明專利]制造半導體器件的光致抗蝕劑組合物和方法

在審

• 申請號: 202110331803.5
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113050374A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 賴韋翰;楊立柏;張尚文;張慶裕;林子揚;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 趙艷

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成包含光致抗蝕劑組合物的光致抗蝕劑層；

將所述光致抗蝕劑層選擇性暴露到光化輻射以形成潛在圖案；以及

通過將顯影劑施加至經選擇性暴露的光致抗蝕劑層來使所述潛在圖案顯影以形成圖案，

其中所述光致抗蝕劑組合物包含：

含碘敏化劑；

光活性化合物；和

聚合物，以及

其中所述含碘敏化劑包括碘化銨、碘化鏻、雜環碘化銨中的一種或多種，

I-X₁、

其中X₁、X₂、X₃和X₄獨立地是直接鍵、C6-C30碘代芳基、C1-C30碘代烷基、C3-C30碘代環烷基、C1-C30碘代羥烷基、C2-C30碘代烷氧基、C3-C30碘代烷氧基烷基、C1-C30碘代乙酰基、C2-C30碘代乙酰基烷基、C1-C30碘代羧基、C2-C30碘代烷基羧基和C4-C30碘代環烷基羧基；C3-C30飽和或不飽和的碘代烴環，或C3-C30碘代雜環基，

A₁、A₂、A₃和A₄獨立地是酸不穩定的基團，所述酸不穩定的基團選自C6-C15碘代芳基、C4-C15碘代烷基、C4-C15碘代環烷基、C4-C15碘代羥烷基、C4-C15碘代烷氧基和C4-C15碘代烷氧基烷基。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述光化輻射是極紫外輻射。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在將所述光致抗蝕劑層選擇性暴露到光化輻射以形成潛在圖案之后和在顯影所述潛在圖案之前加熱所述光致抗蝕劑層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中X₁、X₂、X₃、X₄、A₁、A₂、A₃和A₄獨立地是鏈基、環基或3-D基團。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述碘化物是三碘化物。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含碘敏化劑是以下中的一種或多種：

其中R₁、R₂、R₃和R₄獨立地是C2-C15烷基、C3-C15環烷基、C1-C15羥烷基、C2-C15烷氧基、C3-C15烷氧基烷基、C1-C15乙酰基、C2-C15乙酰基烷基、C1-C15羧基、C2-C15烷基羧基、C4-C15環烷基羧基、C3-C15飽和或不飽和的烴環、C2-C15雜環基，或R₁和R₂形成環。

7.根據權利要求6所述的方法，其中R₁、R₂、R₃和R₄獨立地是鏈、環或3-D結構。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述含碘敏化劑是以下中的一種或多種：

9.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成包含光致抗蝕劑組合物的光致抗蝕劑層；

將光致抗蝕劑層暴露到光化輻射；和

通過將顯影劑施加至圖案化暴露的光致抗蝕劑層上施加顯影劑來顯影所述圖案暴露的光致抗蝕劑層以形成圖案，

其中所述光致抗蝕劑組合物包含：

敏化劑；

光活性化合物；和

聚合物，以及

其中所述光活性化合物是具有以下結構的碘鎓化合物：

其中D1是空間位阻取代的和未被取代的環烷烴、內酯和3-D結構中的一種或多種。

10.一種光致抗蝕劑組合物，所述組合物包含：

含碘敏化劑；

光活性化合物；和

聚合物

其中所述含碘敏化劑包括碘化銨、碘化鏻、雜環碘化銨中的一種或多種，

I-X₁、

其中X₁、X₂、X₃和X₄獨立地是直接鍵、C6-C30碘代芳基、C1-C30碘代烷基、C3-C30碘代環烷基、C1-C30碘代羥烷基、C2-C30碘代烷氧基、C3-C30碘代烷氧基烷基、C1-C30碘代乙酰基、C2-C30碘代乙酰基烷基、C1-C30碘代羧基、C2-C30碘代烷基羧基和C4-C30碘代環烷基羧基；C3-C30飽和或不飽和的碘代烴環，或C3-C30碘代雜環基，

A₁、A₂、A₃和A₄獨立地是酸不穩定的基團，所述酸不穩定的基團選自C6-C15碘代芳基、C4-C15碘代烷基、C4-C15碘代環烷基、C4-C15碘代羥烷基、C4-C15碘代烷氧基和C4-C15碘代烷氧基烷基。