[發明專利]一種非連續基底結構聲表面波濾波器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110331118.2
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN112968124A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 吳亮;王琦琨;付丹揚;龔建超;劉歡
• 申請（專利權）人: 奧趨光電技術（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L41/187
• 分類號: H01L41/187;H01L41/316
• 代理公司: 杭州宇信聯合知識產權代理有限公司 33401
• 代理人: 王健

1.一種非連續基底結構聲表面波濾波器，包括以下結構：

1)襯底層；

2)設置在所述襯底層上的壓電薄膜層和其中包含的聲阻抗非連續層；

3)設置在所述壓電薄膜層上的叉指換能器。

2.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述襯底層為硅、鍺、砷化鎵、碳化硅、藍寶石、氮化鎵或氮化鋁。

3.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述壓電薄膜層為AlN壓電薄膜，或者摻雜Sc、Cr、Er中一種或多種元素的AlN壓電薄膜。

4.根據權利要求3所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述AlN壓電薄膜或者摻雜AlN壓電薄膜的厚度為100nm-10um。

5.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述聲阻抗非連續層的材料為低聲速材料、高聲速材料以及中空結構。

6.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述聲阻抗非連續層所在區域為均勻結構、漸變性結構或者周期性變化結構。

7.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述聲阻抗非連續層為單層或多層結構。

8.根據權利要求1所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述叉指換能器的電極材料為電極層的材料，包括Al、Pt、Ti、Au、Mo或者W。

9.根據權利要求8所述的非連續基底結構聲表面波濾波器，其特征在于，所述電極層厚度為30nm-2um。

10.如權利要求1-9任一項所述的非連續基底結構聲表面波濾波器的制備方法，其特征在于：

所述壓電薄膜層采用反應式磁控濺射技術制備或者反應式磁控濺射技術結合高溫熱處理技術制備，所述反應式磁控濺射技術的制備條件如下：反應室壓力為0.1-5pa，氮氣流量為5-500sccm，氬氣流量為5-500sccm，濺射功率為0.1-15KW，溫度100-1000℃；所述高溫熱處理技術的制備條件如下：熱處理溫度1000-1800℃，真空或通保護氣Ar、N₂、H₂一種或多種組合氣體至壓力0.5-10atm，保溫時長0.1-10h。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，制備采用的靶材為Al靶材，或著摻雜Sc、Cr、Er中一種或多種元素的合金Al靶材。