[發(fā)明專利]透射電鏡電化學檢測芯片及其制造方法

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• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN112903727A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 廖洪鋼;鄧俊先;江友紅
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G01N23/04
• 分類號: G01N23/04;G01N23/20058;G01N23/20008;G01N27/416;G01N27/30
• 代理公司: 廈門市精誠新創(chuàng)知識產權代理有限公司 35218
• 代理人: 方惠春

本發(fā)明屬于電化學芯片技術領域，具體涉及一種透射電鏡電化學檢測芯片及其制造方法。所述透射電鏡電化學檢測芯片包括上片和下片，上片和下片都為正反面都設有絕緣層的硅基片，上片的正面與下片的正面通過粘結層固定粘結，上片、下片和粘結層共同構成一腔室；上片上設有注樣口和第一視窗，下片上設有工作電極、參比電極、對電極、第二視窗和溫度計，工作電極、參比電極和對電極都搭設在第二視窗上。本發(fā)明提供的透射電鏡電化學檢測芯片的下片設置有溫度計，溫度計可以用于實時監(jiān)控反應溫度，便于使用者更好地了解電化學反應吸放熱反應類型以及溫度對電化學反應的影響。本發(fā)明提供的制造方法可以用于制造前述透射電鏡電化學檢測芯片。

技術領域

本發(fā)明屬于電化學芯片技術領域，具體涉及一種透射電鏡電化學檢測芯片及其制造方法。

背景技術

在科學技術發(fā)展的進程中，電化學在電解、電鍍、化學電源、電分析、金屬腐蝕與防護等領域都占據著重要的地位。但隨著科學技術的進步，電化學的應用范圍已經擴大到環(huán)境保護、電子、能源、材料、化工、冶金和化學合成等領域。通過透射電鏡電化學檢測芯片，從微觀角度觀測金屬原子，有機分子等微觀粒子的氧化還原過程，這些信息對于材料、能源等領域的技術原理解析是十分有必要的。

發(fā)明專利申請CN110736760A公開了一種電化學檢測芯片，該電化學檢測芯片存在幾點不足，其中，最主要的一點是，該電化學檢測芯片不具有溫度檢測功能，不便于使用者了解電化學反應吸放熱反應類型以及溫度對電化學反應的影響。

發(fā)明內容

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種具有溫度檢測功能的透射電鏡電化學檢測芯片，同時提供一種透射電鏡電化學檢測芯片的制造方法，可以用于制造前述透射電鏡電化學檢測芯片。

具體地，本發(fā)明的技術方案是：

一種透射電鏡電化學檢測芯片，包括上片和下片，上片和下片都為正反面都設有絕緣層的硅基片，上片的正面與下片的正面通過粘結層固定粘結，上片、下片和粘結層共同構成一腔室；上片上設有注樣口和第一視窗，下片上設有工作電極、參比電極、對電極、第二視窗和溫度計，工作電極、參比電極和對電極都搭設在第二視窗上。

優(yōu)選地，所述工作電極位于第二視窗中央，對電極和工作電極并排搭設在第二視窗上，參比電極垂直于工作電極搭設在第二視窗上，溫度計搭設在第二視窗上，且與對電極和工作電極相對設置。

優(yōu)選地，還包括碳電極，碳電極覆蓋在工作電極上。

優(yōu)選地，所述溫度計由鉑金屬膜圖案構成。

一種透射電鏡電化學檢測芯片的制造方法，包括：

S1：在正反面都設有絕緣層的硅基片A上加工出注樣口和第一視窗，制造出上片；

S2：在正反面都設有絕緣層的硅基片B上加工出工作電極、參比電極、對電極、第二視窗和溫度計，制造出下片；

S3：將上片與下片通過粘結層固定粘結，得到透射電鏡電化學檢測芯片。

優(yōu)選地，步驟S2包括：

S21：采用光刻工藝，將第二視窗圖案從光刻掩膜版轉移到正反面都設有絕緣層的硅基片B的背面后，在正膠顯影液中顯影，用去離子水沖洗，得到硅基片B1；

S22：采用反應離子刻蝕工藝，去除硅基片B1背面與第二視窗對應的絕緣層后，去除光刻膠，得到硅基片B2；

S23：采用濕法刻蝕工藝，去除硅基片B2與第二視窗對應的基底硅后，用去離子水沖洗，得到硅基片B3；

S24：采用光刻工藝，將工作電極、參比電極和對電極圖案從光刻掩膜版轉移到硅基片B3正面后，在正膠顯影液中顯影，用去離子水沖洗，得到硅基片B4；