[發明專利]IGBT版圖結構

在審

• 申請號: 202110330816.0
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113097204A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 程煒濤;姚陽
• 申請（專利權）人: 上海埃積半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/739
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 楊用玲

1.一種IGBT版圖結構，其特征在于，包括：元胞區，以及位于所述元胞區域外圈的終端金屬環；所述元胞區上設置有發射極金屬以及與所述發射極金屬電連接的發射極壓焊點、柵極金屬以及與所述柵極金屬電連接的柵極壓焊點；所述終端金屬環上還設置有至少一個集電極壓焊點；所述終端金屬環上非集電極壓焊點區域均被鈍化層覆蓋。

2.根據權利要求1所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述集電極壓焊點為多個，均勻分布于所述終端金屬環上。

3.根據權利要求1所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述終端金屬環為矩形環，所述集電極壓焊點設置于所述終端金屬環的拐角位置。

4.根據權利要求3所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述集電極壓焊點的個數不超過4個。

5.根據權利要求3所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述集電極壓焊點的形狀為三角形、正方形、或矩形之中的任意一種。

6.根據權利要求5所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述集電極壓焊點的形狀為等腰直角三角形。

7.根據權利要求1所述的一種IGBT版圖結構，其特征在于，所述終端金屬環的金屬層與IGBT的N-基區形成歐姆接觸。