[發(fā)明專利]非晶硅靶材承載裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110330638.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113097107A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈夢(mèng)超;曹育紅;符黎明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/203;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 213300 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非晶硅靶材 承載 裝置 | ||
1.非晶硅靶材承載裝置,其特征在于,包括:用于夾持板狀非晶硅靶材的上夾板和下夾板,用于支承上夾板和下夾板的頂板,以及與頂板連接、且用于驅(qū)動(dòng)頂板移動(dòng)的移動(dòng)裝置;
所述頂板平置,頂板設(shè)有第一鏤空區(qū)域,頂板底面還螺紋連接多個(gè)豎置螺絲,該多個(gè)螺絲位于第一鏤空區(qū)域外圍;移動(dòng)裝置位于第一鏤空區(qū)域外圍;
所述上夾板平置在頂板正下方,上夾板設(shè)有第二鏤空區(qū)域,第二鏤空區(qū)域位于第一鏤空區(qū)域正下方,且第一鏤空區(qū)域在上夾板上的投影不超出第二鏤空區(qū)域;上夾板被上述多個(gè)螺絲貫穿,且該多個(gè)螺絲位于第二鏤空區(qū)域外圍;
所述下夾板平置在上夾板正下方,下夾板設(shè)有第三鏤空區(qū)域,第三鏤空區(qū)域位于第二鏤空區(qū)域正下方,且第二鏤空區(qū)域在下夾板上的投影不超出第三鏤空區(qū)域;下夾板也被上述多個(gè)螺絲貫穿,且該多個(gè)螺絲位于第三鏤空區(qū)域外圍;
上述多個(gè)螺絲分別套裝有彈簧,且該多個(gè)螺絲上的彈簧都被壓縮在上夾板和頂板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅靶材承載裝置,其特征在于,上述多個(gè)螺絲還分別套裝有墊片,且該多個(gè)螺絲上的墊片都設(shè)在上夾板和下夾板之間;且各墊片的厚度都小于板狀非晶硅靶材的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非晶硅靶材承載裝置,其特征在于,所述上夾板的邊沿設(shè)有上把手。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非晶硅靶材承載裝置,其特征在于,所述下夾板的邊沿設(shè)有下把手。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅靶材承載裝置,其特征在于,所述頂板、上夾板和下夾板都為矩形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非晶硅靶材承載裝置,所述第一鏤空區(qū)域、第二鏤空區(qū)域和第三鏤空區(qū)域?yàn)榫匦巍?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非晶硅靶材承載裝置,所述頂板底面螺紋連接的螺絲數(shù)量為四個(gè),該四個(gè)螺絲分別位于頂板、上夾板和下夾板的四角。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅靶材承載裝置,所述上夾板的厚度為0.05~2mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅靶材承載裝置,所述下夾板的厚度為0.05~2mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非晶硅靶材承載裝置,所述墊片的厚度為0.05~2mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





