[發明專利]發光二極管芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 202110330165.5
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113284999B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 林云真;劉源;沈燕;郝亞磊;尹靈峰
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/56;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長n型層、多量子阱層及p型層；

在所述p型層上形成延伸至所述n型層的表面的凹槽；

在所述n型層被所述凹槽暴露的表面生長n電極，在所述p型層遠離所述襯底的表面生長p電極；

在所述p型層與所述n型層被所述凹槽暴露的表面形成鈍化保護層，所述鈍化保護層上具有套設在所述n電極上的第一通孔，所述鈍化保護層上具有套設在所述p電極上的第二通孔；

在所述鈍化保護層上形成斥水膜層，所述斥水膜層具有分別對應所述n電極的第一光孔與對應所述p電極的第二光孔，所述斥水膜層延伸至所述n電極的外周壁與所述p電極的外周壁上；

所述在所述鈍化保護層上形成斥水膜層，包括：

在所述鈍化保護層、所述n電極的外周壁表面與所述p電極的外周壁表面上涂覆液態的有機硅烷化合物，所述有機硅烷化合物為異-辛基三乙氧基硅烷或者丙基三乙氧基硅烷；

靜置晶片100~500s，所述晶片為生長完所述鈍化保護層之后的結構；

以1000~4000r/s的轉速，使所述晶片繞所述晶片的軸線轉動0.1min~5min，以使液態的所述有機硅烷化合物分布更均勻；

在溫度為100~200度的條件下烘烤液態的所述有機硅烷化合物100~500s以形成所述斥水膜層，所述斥水膜層的厚度為5nm~15nm；

使用丙酮清洗所述斥水膜層5~20分鐘；使用乙醇清洗所述斥水膜層5~10分鐘；使用異丙醇清洗所述斥水膜層5~10分鐘。

2.一種發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片采用如權利要求1所述的發光二極管芯片制備方法進行制備，所述發光二極管芯片包括襯底、n型層、多量子阱層、p型層、n電極、p電極、鈍化保護層與斥水膜層，

所述n型層、所述多量子阱層與所述p型層沿所述n型層的生長方向依次層疊在所述襯底上，所述p型層上具有延伸至所述n型層的表面的凹槽，所述鈍化保護層覆蓋所述p型層的表面，所述n電極位于所述n型層被所述凹槽暴露的表面上，且與所述n型層被所述凹槽暴露的表面固定，所述p電極位于所述p型層遠離所述襯底的表面，且與所述p型層遠離所述襯底的表面固定，

所述鈍化保護層覆蓋所述p型層與所述n型層的表面，所述鈍化保護層上具有套設在所述n電極上的第一通孔，所述鈍化保護層上具有套設在所述p電極上的第二通孔，

所述斥水膜層層疊在所述鈍化保護層上，所述斥水膜層具有分別對應所述n電極的第一光孔與對應所述p電極的第二光孔，且所述斥水膜層延伸至所述n電極的外周壁與所述p電極的外周壁上，所述斥水膜層的材料為有機硅烷化合物。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述斥水膜層為絕緣材料，所述斥水膜層覆蓋所述鈍化保護層的表面，且所述斥水膜層覆蓋所述n電極的外周壁表面與所述p電極的外周壁表面。