[發明專利]硅片中金屬含量的測量方法

有效

• 申請號: 202110330104.9
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN112713103B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 譚繼東;郭愷辰;程遠梅
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N33/2028;G01N27/62
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，包括：

對硅片的第1層到第N層的每一層依次執行刻蝕測試步驟，所述硅片劃分為M層，N不大于M，對每一層執行的所述刻蝕測試步驟包括：

對所述硅片的測試區域進行刻蝕，得到溶解有硅片中金屬的第一溶液；

收集刻蝕后得到的所述第一溶液；

對所述第一溶液進行加熱，蒸發其中的溶劑和硅基質；

利用水對蒸發后的第一溶液進行再溶解，得到第二溶液；

對所述第二溶液進行測試，得到所述測試區域的金屬含量；

在執行N次所述刻蝕測試步驟后，將得到的N個金屬含量相加，得到所述硅片的測試區域的第一總金屬含量。

2.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，所述硅片每層的厚度為0.1-10um。

3.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，N大于或等于1，且小于或等于10。

4.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，所述對所述硅片的測試區域進行刻蝕包括：

利用臭氧與所述硅片反應生成二氧化硅；

利用霧化的氫氟酸與測試區域的二氧化硅作用，對所述測試區域進行刻蝕。

5.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，所述對所述第一溶液進行加熱，蒸發其中的溶劑和硅基質包括：

對所述第一溶液加熱10min~300 min，加熱溫度為50℃~400℃。

6.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，對硅片的第1層到第N層的每一層依次執行刻蝕測試步驟之前，所述方法還包括：

去除所述硅片表面的氧化膜。

7.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，對硅片的第1層到第N層的每一層依次執行刻蝕測試步驟之前，所述方法還包括：

對所述硅片的測試區域表面的金屬含量進行測試，得到表面金屬含量；

得到所述硅片的測試區域的第一總金屬含量之后，所述方法還包括：

將所述第一總金屬含量與所述表面金屬含量相加，得到所述硅片的測試區域的第二總金屬含量。

8.根據權利要求1所述的硅片中金屬含量的測量方法，其特征在于，所述測試區域為扇形或圓形。