[發明專利]用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備

有效

• 申請號: 202110330031.3
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN112708865B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 周云;宋維聰;解文駿;方合
• 申請（專利權）人: 上海陛通半導體能源科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50;C23C16/458;C23C14/54;C23C16/52
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于，所述鍍膜設備包括：腔體、沉積源、晶圓基座，所述沉積源位于所述腔體的上部，所述晶圓基座位于所述腔體下部，所述晶圓基座包括基座表面及位于基座表面下方的平板電極，所述平板電極用于提供偏壓場，所述平板電極被一個或多個絕緣環分為多個電極區域，每個被所述絕緣環分開的所述電極區域均能獨立產生一個脈沖直流偏壓或者射頻偏壓，以在晶圓表面不同區域產生相同或者不同的負偏壓，所述平板電極上的每個電極區域均連接有電源，通過改變所述電源的輸出功率大小來改變每個所述電極區域的負偏壓大小，通過不同負偏壓大小對陽離子的吸引和加速作用，調節晶圓上表面附近陽離子往下轟擊晶圓表面不同區域的能量，以改善晶圓表面沉積薄膜應力均勻性和方阻均勻性；所述基座表面為石墨或鋁材料；所述腔體內側還設有加熱盤，所述加熱盤呈環狀對稱分布，且所述加熱盤設置于在晶圓上方或者與晶圓在同一水平高度。

2.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述鍍膜設備為濺射鍍膜設備，所述沉積源包括磁鐵和靶材，所述靶材位于所述腔體的上部，所述磁鐵位于所述靶材上方。

3.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述鍍膜設備為化學氣相沉積設備或原子層沉積設備，所述沉積源為薄膜沉積所使用的噴淋頭。

4.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述電源包括直流電源、脈沖直流電源及射頻電源中的一種。

5.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：每一個電極區均與一個可變電阻相串聯，通過調節所述可變電阻的阻值以調整每個所述電極區域的負偏壓大小。

6.根據權利要求5所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：每個所述電極區域的負偏壓大小根據晶圓表面不同區域的應力或/及方阻需求設定。

7.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述平板電極被一個或多個絕緣環分為多個圓形電極區域或環形電極區域。

8.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述晶圓基座內部還設有加熱盤，所述加熱盤包括單個加熱區塊或多個加熱區塊中的一種，所述多個加熱區塊的每個加熱區塊可獨立控制加熱功率，以提高加熱均勻性，改善薄膜晶圓表面沉積薄膜應力均勻性和方阻均勻性。

9.根據權利要求1所述的用于改善薄膜均勻性的鍍膜設備，其特征在于：所述晶圓基座下方或外側還設置有旋轉裝置，以使所述平板電極在工藝過程中可連續旋轉或不連續旋轉。