[發明專利]一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110329566.9
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113113499A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 郭道友;王順利;王亞超;吳小平
• 申請（專利權）人: 金華紫芯科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器，其特征在于，包含襯底、p-Cr₂O₃層、n-Ga₂O₃層、雙層石墨烯層、第一金屬電極和第二金屬電極，其中，所述p-Cr₂O₃層位于所述襯底的一側，所述n-Ga₂O₃層的面積小于所述述p-Cr₂O₃層的面積，所述n-Ga₂O₃層和所述第二金屬電極均位于所述p-Cr₂O₃層背離所述襯底的一側，所述n-Ga₂O₃層和所述第二金屬電極不直接接觸；所述雙層石墨烯層位于所述n-Ga₂O₃層背離所述p-Cr₂O₃層一側，所述第一金屬電極位于所述雙層石墨烯層背離所述n-Ga₂O₃層一側，所述p-Cr₂O₃層和所述n-Ga₂O₃層形成Cr₂O₃/Ga₂O₃pn結。

2.根據權利要求1所述的一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器，其特征在于，所述p-Cr₂O₃層的厚度為500nm～10μm，所述p-Cr₂O₃層通過磁控濺射的方法生長于所述襯底上，其中，濺射壓強在1.0～3.0Pa范圍內，濺射功率在100W～300W范圍內，濺射氣體流量比O₂/Ar＝0％～100％，濺射時間在1h～10h范圍內，濺射溫度為室溫。

3.根據權利要求1所述的一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器，其特征在于，所述n-Ga₂O₃層的厚度為20nm～500nm，所述n-Ga₂O₃層通過磁控濺射的方法生長于所述p-Cr₂O₃層上，其中，濺射壓強在1.0～3.0Pa范圍內，濺射功率在50W～300W范圍內，濺射氣體Ar流量為5sccm～20sccm，濺射時間在0.1h～4h范圍內，濺射溫度為室溫。

4.根據權利要求1所述的一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器，其特征在于，所述襯底為柔性襯底或剛性襯底。

5.根據權利要求1所述的一種pn結型氧化鎵基自供電紫外探測器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極分別為Au、Pt、Ag、In、Ti、Ni和Cu中的任意一種或幾種的組合。