[發明專利]一種SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法在審
| 申請號： | 202110329517.5 | 申請日： | 2021-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN113336576A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 付前剛;童明德;馮濤 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 納米 線增韌 化學 氣相共 沉積 hfc 涂層 制備 方法 | ||
1.一種SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將C/C復合材料打磨，置于去離子水中超聲清洗，烘干后，采用包埋法制備在表面利用SiC涂層；
步驟2：將帶有SiC涂層的C/C復合材料懸掛于底部放置有硅塊的石墨坩堝中，將坩堝放置于熱處理爐中，升溫至1800-1900℃，保溫1h；控制Ar氣的氣體流量為600ml/min；
步驟3：將步驟2處理C/C復合材料置于化學氣相沉積設備的恒溫區中，采用HfCl4和甲烷作為HfC陶瓷涂層的前驅體，分別提供Hf源和C源；采用氫氣作為還原性氣體，氬氣作為保護氣；
氣相沉積過程分為三個階段：
升溫階段：以600ml/min的速率通Ar氣，升溫速率為5℃/min，爐膛升溫至1400-1500℃后，進入保溫階段；
保溫階段：通入速率20-50ml/min的CH4，200-300ml/min的Ar和600-800ml/min的H2；打開螺旋送粉器，將送粉速率調整至0.9g/min，爐膛內的壓力為30-40kPa，沉積過程持續7h。
2.根據權利要求1所述SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法，其特征在于：所述C/C復合材料的密度為1.7g/cm3的2.5D。
3.根據權利要求1所述SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法，其特征在于：所述升溫速率和降溫速率為5℃/min。
4.根據權利要求1所述SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟3化學氣相沉積設備采用連續送粉的化學氣相沉積爐。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西北工業大學，未經西北工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110329517.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種瓤類種子分離裝置及方法
- 下一篇：圖像特征生成方法、圖像識別方法和裝置
