[發明專利]一種CMOS圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 202110327423.4
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113078265B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 胡歡;朱克寶;陳世平;陳鵬堃
• 申請（專利權）人: 聯合微電子中心有限責任公司
• 主分類號: H10K30/80
• 分類號: H10K30/80;H10K39/32;H10K71/00;G02B5/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成金屬濾光層；

形成多個濾光孔于所述金屬濾光層中，所述濾光孔在垂直方向上貫穿所述金屬濾光層；

形成隔離介質層于所述濾光孔的側壁；

依次形成底部透明電極、感光層及頂部透明電極于所述濾光孔中。

2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：多個所述濾光孔呈周期性排列。

3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：多個所述濾光孔包括多個第一濾光孔、多個第二濾光孔及多個第三濾光孔，所述第一濾光孔、所述第二濾光孔及所述第三濾光孔的孔徑互不相同。

4.根據權利要求3所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：所述第一濾光孔用于透過紅光，所述第二濾光孔用于透過綠光，所述第三濾光孔用于透過藍光。

5.根據權利要求3所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：多個所述濾光孔呈拜耳陣列排布或蜂窩陣列排布。

6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：所述感光層包括有機感光材料。

7.根據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：所述有機感光材料包括富勒烯衍生物。

8.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：所述感光層的厚度范圍是50-100nm，所述金屬濾光層的厚度范圍是70-120nm。

9.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于：還包括提供一襯底，并形成讀出電路及互連層的步驟，所述讀出電路位于所述襯底中，所述互連層位于所述襯底與所述金屬濾光層之間以電連接所述讀出電路及所述底部透明電極。

10.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：

金屬濾光層；

多個濾光孔，位于所述金屬濾光層中，并在垂直方向上貫穿所述金屬濾光層；

隔離介質層，位于所述濾光孔的側壁；

三明治結構，位于所述濾光孔中，并自下而上依次包括底部透明電極、感光層及頂部透明電極。

11.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：多個所述濾光孔呈周期性排列。

12.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：多個所述濾光孔包括多個第一濾光孔、多個第二濾光孔及多個第三濾光孔，所述第一濾光孔、所述第二濾光孔及所述第三濾光孔的孔徑互不相同。

13.根據權利要求12所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述第一濾光孔用于透過紅光，所述第二濾光孔用于透過綠光，所述第三濾光孔用于透過藍光。

14.根據權利要求12所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：多個所述濾光孔呈拜耳陣列排布或蜂窩陣列排布。

15.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述感光層包括有機感光材料。

16.根據權利要求15所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述有機感光材料包括富勒烯衍生物。

17.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述感光層的厚度范圍是50-100nm，所述金屬濾光層的厚度范圍是70-120nm。

18.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述CMOS圖像傳感器還包括讀出電路及互連層，所述讀出電路位于襯底中，所述互連層位于所述襯底與所述金屬濾光層之間以電連接所述讀出電路及所述底部透明電極。