[發明專利]掩膜版脫膜去膠方法、制作方法及掩膜版

在審

• 申請號: 202110326898.1
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113176703A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 黃國勇;司繼偉;杜武兵
• 申請（專利權）人: 深圳市路維光電股份有限公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 黃廣龍

1.掩膜版脫膜去膠方法，其特征在于，包括以下步驟：

對掩膜版半成品進行曝光，使掩膜版半成品上的殘留光阻層進行光耦合反應；

將進行光耦合反應后的掩膜版半成品與顯影液進行反應，去除掩膜版半成品上的殘留光阻層。

2.根據權利要求1所述的掩膜版脫膜去膠方法，其特征在于，對掩膜版進行曝光，包括以下步驟：采用紫外線對掩膜版進行曝光。

3.根據權利要求2所述的掩膜版脫膜去膠方法，其特征在于，所述紫外線采用曝光設備發出；所述曝光設備包括：

機體；

工件放置板，所述工件放置板可從所述機體外部滑動至所述機體內部，所述工件放置板用于放置掩膜版半成品；

紫外線燈板，所述紫外線燈板位于所述機體內部，所述紫外線燈板用于照射所述工件放置板上的掩膜版半成品。

4.根據權利要求3所述的掩膜版脫膜去膠方法，其特征在于，對掩膜版半成品進行曝光，使掩膜版半成品上的殘留光阻層進行光耦合反應，包括有以下步驟：

將所述工件放置板從所述機體內拉出，將掩膜版半成品放置在所述工件放置板上；

將放置好掩膜版半成品的所述工件放置板推動到所述機體內部；

將所述紫外線燈板上電打開，對掩膜版半成品進行整體照射，使掩膜版半成品上的殘留光阻層進行光耦合反應。

5.掩膜版制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板表面形成遮光層；

在所述遮光層表面形成光阻層；

在所述光阻層上形成非感光區和感光區；

去除所述感光區的所述光阻層；

去除所述感光區的所述遮光層，得到掩膜版半成品；

對掩膜版半成品進行曝光，使掩膜版半成品上的殘留光阻層進行光耦合反應；

將進行光耦合反應后的掩膜版半成品與顯影液進行反應，去除掩膜版半成品上的殘留光阻層。

6.根據權利要求5所述的掩膜版制作方法，其特征在于，通過對所述光阻層進行掃描光刻的方式，在所述光阻層上形成非感光區和感光區。

7.根據權利要求5所述的掩膜版制作方法，其特征在于，通過與顯影液反應的方式，去除所述感光區的所述光阻層。

8.根據權利要求5所述的灰階掩膜版制作方法，其特征在于，通過與蝕刻液反應的方式，去除所述感光區的所述遮光層。

9.根據權利要求5所述的灰階掩膜版制作方法，其特征在于，采用物理濺射或化學沉積的方法在所述基板表面形成遮光層，采用Spin涂覆工藝或者Slit涂覆工藝將光阻材料涂布在所述遮光層表面形成光阻層。

10.掩膜版，其特征在于，采用如權利要求5至9任一項所述的掩膜版制作方法制成。