[發明專利]觸控元件及包含所述觸控元件的顯示裝置在審
| 申請號: | 202110326226.0 | 申請日: | 2021-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN115129174A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 劉明宗;楊宜龍;劉勝發;林俊基;陳威州;朱俊鴻 | 申請(專利權)人: | 宸鴻科技(廈門)有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京同鈞律師事務所 16037 | 代理人: | 許懷遠;馬爽 |
| 地址: | 361006 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 包含 述觸控 顯示裝置 | ||
1.一種觸控元件,其特征在于,包括:
一高分子相位延遲層;以及
一設置并接觸所述高分子相位延遲層的觸控感測結構,其中所述觸控感測結構為奈米銀線與高分子的復合層;
其中在可見光范圍下所述高分子相位延遲層在設置所述觸控感測結構之前與之后的相位延遲值R0差異小于1%。
2.根據權利要求1所述的觸控元件,其特征在于,所述觸控元件的厚度小于64μm。
3.根據權利要求1所述的觸控元件,其特征在于,所述高分子相位延遲層的厚度小于53μm。
4.根據權利要求3所述的觸控元件,其特征在于,所述觸控元件的相位延遲值差值ΔR0以下述公式表示:
ΔR0=R0-R0′
其中,R0表示所述觸控元件在約25℃下在575nm所量測的第一相位延遲值,R0′表示所述觸控元件在85℃下持續240小時再回復到約25℃下在575nm所量測的第二相位延遲值,ΔR0表示所述第一相位延遲值與所述第二相位延遲值差值的絕對值,所述ΔR0小于7.0nm。
5.根據權利要求4所述的觸控元件,其特征在于,所述ΔR0介于0nm至2.0nm、0.1nm至2.0nm、0.2nm至2.0nm、0.3nm至2.0nm、0.2nm至1.0nm、0.3nm至0.7nm或0.7nm至2.0nm的范圍。
6.根據權利要求1所述的觸控元件,其特征在于,所述高分子相位延遲層的厚度約為13μm,所述觸控元件的相位延遲值差值ΔR0以下述公式表示:
ΔR0=R0-R0′
其中,R0表示所述觸控元件在約25℃下在575nm所量測的第一相位延遲值,R0′表示所述觸控元件在85℃下持續240小時再回復到約25℃下在575nm所量測的第二相位延遲值,ΔR0表示所述第一相位延遲值與所述第二相位延遲值差值的絕對值,所述ΔR0介于0nm至1.0nm、0.1nm至1.0nm、0.2nm至1.0nm或0.7nm。
7.根據權利要求1所述的觸控元件,其特征在于,所述高分子相位延遲層的厚度約為25μm,所述觸控元件的相位延遲值差值ΔR0以下述公式表示:
ΔR0=R0-R0′
其中,R0表示所述觸控元件在約25℃下在575nm所量測的第一相位延遲值,R0′表示所述觸控元件在85℃下持續240小時再回復到約25℃下在575nm所量測的第二相位延遲值,ΔR0表示所述第一相位延遲值與所述第二相位延遲值差值的絕對值,所述ΔR0介于0nm至2.0nm、0.1nm至2.0nm、0.2nm至2.0nm、0.3nm至2.0nm或0.3nm。
8.根據權利要求1所述的觸控元件,其特征在于,所述觸控元件組裝于一線性偏光層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
一顯示面板,具有一顯示區;以及
根據權利要求1至8中任一項所述的觸控元件,設置在所述顯示面板上,其中,所述觸控元件的所述觸控感測結構對應地與所述顯示區重迭。
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