[發明專利]一種用于光電催化殺滅耐藥菌的硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列及其制備方法

在審

• 申請號: 202110326102.2
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113058622A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 陳鵬鵬;楊晶婷;周藝峰;聶王焰;徐穎;曾少華
• 申請（專利權）人: 安徽大學
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;B01J35/00;B01J37/10;C02F1/30;C02F1/461;C02F1/467
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.一種用于光電催化殺滅耐藥菌的硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列的制備方法，其特征在于：將表面活性劑、硫源和鉬源在去離子水中均勻混合后，再加入泡沫鎳作為基底，轉移到水熱反應釜中，200～220℃水熱反應20～24h；反應結束后冷卻至室溫，將樣品取出并清洗、真空干燥，然后放入管式爐中，在氮氣氣氛保護下，300～500℃下煅燒2～4h，即獲得硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述硫源為硫代乙酰胺或硫脲，所述鉬源為二水合鉬酸鈉，所述表面活性劑為聚環氧乙烷-聚環氧丙烷-聚環氧乙烷三嵌段共聚物。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述表面活性劑、鉬源和去離子水的用量比為0.05～2g:30～60mg:30mL；所述硫源和所述鉬源的質量比為1～2:1。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述真空干燥的溫度為50～80℃、時間為6～12h。

5.一種權利要求1～4中任意一項所述制備方法所獲得的硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列。

6.根據權利要求5所述的硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列，其特征在于：所述硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列是以泡沫鎳為基底，在泡沫鎳上形成有硫化鎳納米棒陣列，在構成陣列的硫化鎳納米棒表面包裹有硫化鉬納米顆粒。

7.一種權利要求5或6所述硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列的應用，其特征在于：用于光電催化體系，在可見光光照與外加電壓條件下，通過光電催化效應殺滅耐藥菌；且所述硫化鎳/二硫化鉬復合納米陣列在使用后，可直接通過去離子水沖洗回收進行再次利用。