[發明專利]原位控制合成溴鉛銫三元化合物半導體光電薄膜材料的化學方法在審
| 申請號： | 202110325837.3 | 申請日： | 2021-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN113097385A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 鄭直;郭立家;劉滿營;雷巖;范二闖 | 申請（專利權）人： | 許昌學院 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 喬宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 原位 控制 合成 溴鉛銫 三元 化合物 半導體 光電 薄膜 材料 化學 方法 | ||
1.一種原位控制合成溴鉛銫三元化合物半導體光電薄膜材料的化學方法，將溴化銫與氫溴酸的有機溶液旋涂于金屬單質鉛薄膜的基底材料，160-250℃下加熱處理，原位反應制得溴鉛銫三元化合物薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：所使用的溴化銫（CsBr）與氫溴酸(HBr)摩爾比為2:1-1:2。
3.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：體系中溴化銫的終濃度為0.1M-0.2M。
4.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：鉛薄膜通過濺射得到，使用的濺射方法為直流磁控濺射，金屬鉛單質的厚度為20-60nm。
5.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：旋涂劑量為35-45μl/cm2前驅體溶液，旋涂轉速為：2000-3000rpm。
6.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：160-250℃加熱處理時間為20min以上。
7.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：溴化銫與氫溴酸的有機溶液旋涂于金屬單質鉛薄膜的基底材料上，160-250℃下加熱處理步驟重復多次，使鉛單質反應完全。
8.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：所述的基底材料為FTO導電玻璃或普通載玻片。
9.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：所述溴化銫與氫溴酸的有機溶液配置中所使用的有機溶劑為甲醇。
10.根據權利要求1所述的化學方法，其特征在于：所述溴化銫（CsBr）與氫溴酸(HBr)摩爾比為1:2；體系中溴化銫的終濃度為0.1-0.15M；金屬鉛單質的厚度為20-40nm。
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