[發明專利]存取閃存模組的方法和半導體封裝

在審

• 申請號: 202110325680.4
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113658630A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種用來存取閃存模組的方法，其中閃存模組包含有至少一閃存芯片，每一閃存芯片包含有多個區塊，每一區塊通過多個字元線來實作，每一字元線相對應K個頁面，且該方法包含有：接收來自主機裝置之資料；產生虛擬資料；以及將資料與所伴隨之虛擬資料寫入多個特定區塊，其中對于多個特定區塊之多個字元線的一部分字元線中的每一字元線，虛擬資料被寫入到K個頁面中的至少一個頁面，以及來自主機裝置之資料被寫入到K個頁面中的其它頁面。另外，本發明可以增加該嵌入式多媒體記憶卡的資料穩固性。

技術領域

本發明涉及一種閃存，且尤指一種包含有閃存控制器和閃存模組的嵌入式多媒體記憶卡(embedded Multi-Media-Card,eMMC)。

背景技術

對于許多電子裝置，(例如：智慧型手機、平板電腦以及筆記型電腦…等等)來說，嵌入式多媒體記憶卡是種流行的存儲元件，在電子裝置中的嵌入式多媒體記憶卡會在工廠中被預先處理以具有啟動程式碼(boot code)、作業系統(operating system,OS)程式碼以及數位內容，使得使用者在產品入手后便可立即使用該電子裝置。

為了能夠快速地將啟動程式碼、作業系統程式碼以及數位內容寫入嵌入式多媒體記憶卡，該嵌入式多媒體記憶卡會被連接到一插槽(socket)或是一工具以進行資料寫入，接著該嵌入式多媒體記憶卡會被嵌上(mounted on)該電子裝置所使用的印刷電路板(printed circuit board,PCB)，雖然可執行波峰焊接制程(wave soldering process)來使該嵌入式多媒體記憶卡嵌上于該印刷電路板，然而波峰焊接制程具有較高的溫度，故可能導致記錄于該嵌入式多媒體記憶卡中的資料損壞或是資料質量下降。

發明內容

因此，本發明之一目的在于揭露一種用于存取閃存模組的方法以及相關嵌入式多媒體記憶卡，其可以增加該嵌入式多媒體記憶卡的資料穩固性，以解決上述問題。

根據本發明的一實施例，揭露了一種用來存取閃存模組的方法，其中該閃存模組包含有至少一閃存芯片，每一閃存芯片包含有多個區塊，每一區塊通過多個字元線來實作，每一字元線相對應于K個頁面，且每一字元線包含有多個支持多個狀態(state)的存儲單元(memory cell)，且該方法包含有：接收來自主機裝置的資料；根據來自主機裝置的資料產生虛擬資料(dummy data)；以及將該資料與所伴隨的該虛擬資料寫入多個特定區塊，其中對于多個特定區塊的多個字元線的一部分字元線中的每一字元線，該虛擬資料被寫入到K個頁面中的至少一個頁面，以及來自主機裝置的該資料被寫入到K個頁面中的其它頁面。

根據本發明的一實施例，揭露了一種包含有閃存模組以及閃存控制器的半導體封裝，其中該閃存模組包含有至少一閃存芯片，每一閃存芯片包含有多個區塊，每一區塊通過多個字元線來實作，每一字元線相對應于K個頁面，且每一字元線包含有多個支持多個狀態的存儲單元，且該閃存控制器，耦接于該閃存模組，用來接收來自主機裝置的資料；根據來自主機裝置的資料產生虛擬資料(dummy data)；以及將該資料與所伴隨的該虛擬資料寫入多個特定區塊，其中對于多個特定區塊的多個字元線的一部分字元線中的每一字元線，該虛擬資料被寫入到K個頁面中的至少一個頁面，以及來自主機裝置的該資料被寫入到K個頁面中的其它頁面。

附圖說明

圖1為依據本發明一實施例的電子裝置的示意圖。

圖2為依據本發明一實施例的三維反及閘(3D NAND)閃存的示意圖。

圖3為依據本發明一實施例的三層單元(triple-level cell,TLC)區塊的一存儲單元的多個狀態(編程狀態)的示意圖。

圖4為依據本發明一實施例的存取閃存模組的方法的示意圖。

圖5示出了在閃存模組中的多個區塊。

圖6為依據本發明一實施例的四層單元(quad-level cell,QLC)區塊的一存儲單元的多個狀態(編程狀態)的示意圖。