[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110325072.3
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113078247B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉偉;林鋒杰;劉英策;張阿茵;鄔新根
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/14;H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面上的外延片，所述外延片包括自所述襯底至所述外延片方向依次疊層設(shè)置的N型層、有源層和P型層；所述外延片包括環(huán)形區(qū)和位于所述環(huán)形區(qū)內(nèi)的臺階區(qū)，所述環(huán)形區(qū)處裸露所述襯底，且所述臺階區(qū)處裸露所述N型層；

位于所述P型層背離所述襯底一側(cè)的電流擴(kuò)展層；

覆蓋所述電流擴(kuò)展層和所述外延片的裸露面及環(huán)形區(qū)的絕緣層，所述絕緣層包括位于所述電流擴(kuò)展層處的第一通孔及位于所述臺階區(qū)處的第二通孔；

位于所述絕緣層背離所述襯底一側(cè)的P電極和N電極，所述P電極通過所述第一通孔與所述P型層實現(xiàn)電接觸，所述N電極通過所述第二通孔與所述N型層接觸；

覆蓋所述絕緣層背離所述襯底一側(cè)、所述P電極和所述N電極的裸露面的復(fù)合鈍化層，所述復(fù)合鈍化層包括裸露所述P電極的第一焊接通孔和裸露所述N電極的第二焊接通孔，所述復(fù)合鈍化層包括第一鈍化層及位于所述第一鈍化層背離所述襯底一側(cè)的第二鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述外延片在所述環(huán)形區(qū)的側(cè)面與所述外延片的實體部覆蓋所述襯底表面之間夾角為30-88度，包括端點值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層包括對應(yīng)所述第一通孔的輔助通孔，所述P電極通過所述第一通孔和所述輔助通孔與所述P型層接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層包括所述襯底至所述外延片方向依次疊層設(shè)置的歐姆接觸子層、第一透明導(dǎo)電子層和第二透明導(dǎo)電子層，所述第二透明導(dǎo)電子層摻雜有金屬Al。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述絕緣層為Al₂ O₃ 絕緣層、AlN絕緣層或AlON絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述N電極和所述P電極至少包括位于所述絕緣層覆蓋所述外延片的側(cè)邊的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層、所述絕緣層、所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的疊層形成增透膜結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一鈍化層為 Al₂O₃ 鈍化層、AlN鈍化層或AlON鈍化層；

及，所述第二鈍化層為SiO₂鈍化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一鈍化層的介電常數(shù)大于所述第二鈍化層的介電常數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述N電極和P電極包括自所述襯底至所述外延片方向依次疊層設(shè)置的Cr層、Ni層、Al及Cu合金層、第一Ti層、Pt層、第二Ti層、Au層及TiW層。