[發明專利]硅片制絨工藝

有效

• 申請號: 202110325033.3
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113066903B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 鄧舜;馬琦雯
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.硅片制絨工藝，其特征在于，包括如下具體步驟：

1）對硅片進行高溫氧化處理，使硅片表面的有機臟污分解，以去除硅片表面的有機臟污，且在硅片表面形成第一氧化層；高溫氧化處理的溫度為300～800℃，時間為180～250s；第一氧化層為SiO₂；第一氧化層的厚度不小于2nm；

2）采用第一酸液對步驟1）處理后的硅片進行酸洗，以去除硅片表面的第一氧化層；第一酸液中各組分的質量百分含量為：HF 5%～10%，余量為去離子水；酸洗的溫度為常溫，時間為2～6min；

3）對步驟2）處理后的硅片進行漂洗，以去除硅片表面殘留的第一酸液；漂洗的溫度為常溫，時間為3～9min；

4）采用氧化處理液對步驟3）處理后的硅片進行氧化處理，在硅片表面形成第二氧化層，以使硅片表面處于親水態；氧化處理液中各組分的質量百分含量為：H₂O₂ 2%～6%，無機堿1%～3%，余量為去離子水；氧化處理的溫度為60～70℃，時間為2～3min；第二氧化層為SiO₂；第二氧化層的厚度不大于0.6nm；

5）對步驟4）處理后的硅片進行漂洗，以去除硅片表面殘留的氧化處理液；漂洗的溫度為常溫，時間為3～5min；

6）采用制絨液對步驟5）處理后的硅片進行制絨，在硅片表面形成絨面結構。

2.根據權利要求1所述的硅片制絨工藝，其特征在于，還包括如下具體步驟：

7）對步驟6）處理后的硅片進行漂洗，以去除硅片表面殘留的制絨液；

8）采用第二酸液對步驟7）處理后的硅片進行酸洗，以去除硅片表面的氧化層和金屬離子；

9）對步驟8）處理后的硅片進行漂洗，以去除硅片表面殘留的第二酸液；

10）對步驟9）處理后的硅片進行烘干處理。

3.根據權利要求1或2所述的硅片制絨工藝，其特征在于：步驟6）中，制絨液中各組分的質量百分含量為：制絨添加劑0.5%～1%，無機堿1%～3%，余量為去離子水；制絨的溫度為75～85℃，時間為6～8min。

4.根據權利要求2所述的硅片制絨工藝，其特征在于：

步驟7）中，漂洗的溫度為常溫，時間為3～5min；

步驟8）中，第二酸液中各組分的質量百分含量為：HF 5%～10%， HCL 5%～10%，余量為去離子水；酸洗的溫度為常溫，時間為2～6min；

步驟9）中，漂洗的溫度為常溫，時間為3～9min；

步驟10）中，烘干處理的溫度為80～90℃，時間為10～30min。