[發明專利]磁傳感器及其制造方法在審
| 申請號： | 202110324244.5 | 申請日： | 2021-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN113447866A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 牧野健三;小林尚史 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦;陳明霞 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種磁傳感器，其特征在于，
具備：
電阻值根據外部磁場變化的磁阻效應元件；和
支承所述磁阻效應元件的支承部件，
所述支承部件具有與所述磁阻效應元件相對的上表面和位于與所述上表面相反側的下表面，
所述支承部件的所述上表面包含相對于所述下表面傾斜的傾斜部，
所述磁阻效應元件包含主體以及向所述主體供給電流的下部電極和上部電極，
所述主體配置在所述傾斜部之上，
所述下部電極位于所述主體與所述傾斜部之間，
所述上部電極配置在所述主體上，
所述傾斜部具有離所述下表面最近的下端部和離所述下表面最遠的上端部，
所述下部電極具有離所述傾斜部的所述下端部最近的第一端部和離所述傾斜部的所述上端部最近的第二端部，
所述主體配置在與所述下部電極的所述第一端部相比離所述下部電極的所述第二端部更近的位置。
2.如權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：
從所述傾斜部的所述上端部到所述下部電極的所述第一端部的距離，比從所述傾斜部的所述上端部到所述傾斜部的所述下端部的距離小。
3.如權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：
從所述傾斜部的所述上端部到所述下部電極的所述第一端部的距離，比從所述傾斜部的所述上端部到所述傾斜部的所述下端部的距離大。
4.如權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：
所述上部電極具有離所述傾斜部的所述下端部最近的第三端部，
從所述主體到所述上部電極的所述第三端部的距離，比從所述主體到所述下部電極的所述第一端部的距離小。
5.一種制造權利要求1所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，
具備：
形成所述磁阻效應元件的工序；和
形成所述支承部件的工序，
形成所述磁阻效應元件的工序包括：
形成所述主體的工序；
形成所述下部電極的工序；和
形成所述上部電極的工序，
形成所述下部電極的工序包括：
在所述支承部件上形成金屬膜的工序；
形成蝕刻掩模的工序；和
以使得所述金屬膜成為所述下部電極的方式，使用所述蝕刻掩模，蝕刻所述金屬膜的蝕刻工序，
所述蝕刻掩模具有在所述蝕刻掩模與所述蝕刻掩模的基底之間形成空間的倒切槽。
6.如權利要求5所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于：
所述倒切槽形成離所述傾斜部的所述下端部最近的第一空間和離所述傾斜部的所述上端部最近的第二空間，
與所述支承部件的所述下表面垂直的第一方向上的所述第一空間的最大的尺寸，比所述第一方向上的所述第二空間的最大的尺寸大，
與從所述傾斜部的所述下端部朝向所述上端部的方向平行的第二方向上的所述第一空間的尺寸，比所述第二方向上的所述第二空間的尺寸大。
7.如權利要求5所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于：
在形成所述蝕刻掩模的工序中，在所述金屬膜之上形成所述蝕刻掩模，
形成所述主體的工序在所述蝕刻工序之后進行。
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