[發(fā)明專(zhuān)利]一種SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料用SiBCN界面涂層及制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110323658.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113173791B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖春景;董紹明;楊金山;靳喜海;胡建寶;陳小武;于峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/628 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/628;C04B35/80;C04B35/565 |
| 代理公司: | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sic 纖維 增強(qiáng) 復(fù)合材料 sibcn 界面 涂層 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料用SiBCN界面涂層的制備方法,其特征在于,所述SiBCN界面涂層的組分包括:Si的含量為0.70~7.90at%、B的含量為45.15~88.69at%、C的含量為0.45~15.74at%、N的含量為6.16~49.69at%,所述制備方法包括:
(1)將SiC纖維預(yù)制體置于反應(yīng)室內(nèi),在真空中、700~1000℃下保溫0.5~2小時(shí);
(2)以三氯甲基硅烷為硅源,NH3為氮源,BCl3為硼源,H2為載氣,N2和Ar為稀釋氣體,控制NH3和三氯甲基硅烷分別通過(guò)不同管路運(yùn)輸至反應(yīng)室內(nèi),在0.01~3KPa的沉積壓強(qiáng)、600~1000℃下沉積0.5~12小時(shí),得到所述SiBCN界面涂層;其中所述N2和Ar的摩爾比為0.5~10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述SiC纖維預(yù)制體選自SiC纖維束、SiC纖維布、SiC纖維二維疊層預(yù)制體、SiC纖維二維縫合預(yù)制體、或SiC纖維三維編織預(yù)制體;所述三氯甲基硅烷的純度為99%以上;所述BCl3的純度為99.9%;所述NH3、H2、N2和Ar的純度均為99.999%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述NH3和BCl3的摩爾比為0.5~20,所述BCl3和三氯甲基硅烷的摩爾比為0.3~30;
所述N2和BCl3的摩爾比為5~25。
4.一種含有權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的制備方法制備的SiBCN界面涂層的SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料,其特征在于,所述SiBCN界面涂層的厚度為50nm~2000nm,所述 SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度為150~500MPa,孔隙率≤10%。
5.一種權(quán)利要求4所述的SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,采用化學(xué)氣相沉積法和浸漬裂解法中的至少一種,在表面沉積有SiBCN界面涂層的SiC纖維預(yù)制體中實(shí)現(xiàn)SiC基體的沉積,得到所述SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,先采用化學(xué)氣相沉積法,再采用浸漬裂解法,實(shí)現(xiàn)SiC基體的沉積;
其中,采用化學(xué)氣相沉積法實(shí)現(xiàn)SiC基體沉積后,使得SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的孔隙率控制在20%以下;采用浸漬裂解法SiC基體沉積后,使得SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的孔隙率達(dá)到10%以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述化學(xué)氣相沉積法的參數(shù)包括:以三氯甲基硅烷作為前驅(qū)體,氫氣為載氣,總流量為100~200ml/min;稀釋氣體為氫氣和氬氣,氫氣和氬氣的摩爾比為1~5,總流量為1000~4000ml/min;沉積壓強(qiáng)為3~20kPa;沉積溫度為850~1050℃;沉積時(shí)間為0.5~12小時(shí);
所述浸漬裂解法的參數(shù)包括:真空氣氛下進(jìn)行浸漬,所用有機(jī)前驅(qū)體為液態(tài)聚碳硅烷,分子量為1500~1800;固化的溫度為100~200℃,固化時(shí)間為5~12小時(shí);裂解的氣氛為Ar氣氣氛;裂解的溫度為800~1400℃;裂解時(shí)間為2~3小時(shí);浸漬的次數(shù)為2~6次。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,將所得SiC纖維增強(qiáng)復(fù)合材料再進(jìn)行化學(xué)氣相致密過(guò)程,所述化學(xué)氣相致密過(guò)程的參數(shù)包括:以三氯甲基硅烷為SiC前驅(qū)體,氫氣為載氣,流量為200~400ml/min;稀釋氣體為氫氣和氬氣,摩爾比為1~5,稀釋氣體總流量為2000~8000ml/min;沉積溫度為950℃~1150℃,沉積壓強(qiáng)為10~20KPa,沉積時(shí)間為30~70小時(shí)。
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