[發明專利]發光裝置及包括所述發光裝置的設備

在審

• 申請號: 202110323538.6
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113451520A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 金美更;李宰賢;郭志元;金憓臨;徐智賢;李寬熙;張韓星
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

1.發光裝置，包括：

第一電極；

與所述第一電極相對的第二電極；以及

在所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，

其中所述中間層包括發射層、第一發射輔助層、第二發射輔助層和空穴傳輸區，

所述空穴傳輸區設置在所述第一電極與所述發射層之間，

所述第一發射輔助層和所述第二發射輔助層設置在所述發射層與所述空穴傳輸區之間，

所述第一發射輔助層包含第一化合物，

所述第二發射輔助層包含第二化合物，

所述空穴傳輸區包含空穴傳輸化合物，以及

所述第一化合物和所述空穴傳輸化合物滿足以下不等式1：

不等式1

|E_1AU,HOMO-E_HT,HOMO|≤0.15eV

其中，在不等式1中，

E_1AU,HOMO是所述第一化合物的HOMO能級，以及

E_HT,HOMO是所述空穴傳輸化合物的HOMO能級。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區包括空穴傳輸層，并且所述空穴傳輸層包含所述空穴傳輸化合物。

3.如權利要求2所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸層與所述第一發射輔助層直接接觸。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述第二化合物和所述空穴傳輸化合物滿足以下不等式2：

不等式2

|E_2AU,HOMO-E_HT,HOMO|≤0.25eV

其中，在不等式2中，

E_2AU,HOMO是所述第二化合物的HOMO能級，以及

E_HT,HOMO是所述空穴傳輸化合物的HOMO能級。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述第二發射輔助層與所述發射層直接接觸。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一化合物和所述第二化合物各自彼此獨立地是含芴的化合物、含咔唑的化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或含二苯并噻咯的化合物。

7.如權利要求1所述的發光裝置，其中：

所述第一電極是陽極；

所述第二電極是陰極；

所述發光裝置進一步包括設置在所述發射層與所述第二電極之間的電子傳輸區；

所述電子傳輸區包括緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層、電子注入層或其任意組合；以及

所述空穴傳輸區進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層或其任意組合。

8.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述發射層包含一定量的主體和一定量的摻雜劑，并且所述主體的量大于所述摻雜劑的量。

9.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述發射層包含一個或多于一個的量子點。

10.設備，包括權利要求1至9中任一項所述的發光裝置。