[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202110323278.2
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113451321A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 金俊亨;千志成;孫侖煥;李昇珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

一種半導體器件包括：下部結構；第一上部結構，包括下柵極層并在下部結構上；第二上部結構，包括上柵極層并在第一上部結構上；分隔結構，在下部結構上并穿透第一上部結構和第二上部結構；存儲器垂直結構，在分隔結構之間穿透下柵極層和上柵極層；第一接觸插塞，穿透第一上部結構和第二上部結構并與下柵極層和上柵極層間隔開。第一接觸插塞和存儲器垂直結構中的每個包括具有彎曲部分的側表面。該側表面的彎曲部分設置在第一高度水平面和第二高度水平面之間，下柵極層中的最上面的柵極層設置在該第一高度水平面上，上柵極層中的最下面的柵極層設置在該第二高度水平面上。

技術領域

本公開的示例實施方式涉及半導體器件，具體地，涉及包括存儲器垂直結構的半導體器件以及制造該半導體器件的方法。

背景技術

隨著對半導體器件的高性能、高速度和/或多功能的需求已經增加，半導體器件的集成密度也已經增大。為了增大半導體器件的集成密度，替代在二維平面上設置柵極，已經提出在垂直方向上設置柵極的方法。

發明內容

本公開的示例實施方式提供一種可提高集成密度的半導體器件。

本公開的示例實施方式提供一種半導體器件，其可以提高集成密度并且還可以確保可靠性。

根據本公開的一示例實施方式，一種半導體器件包括：下部結構；第一上部結構，包括下柵極層并在下部結構上；第二上部結構，包括上柵極層并在第一上部結構上；分隔結構，在下部結構上并穿透第一上部結構和第二上部結構；存儲器垂直結構，穿透第一上部結構和第二上部結構并在分隔結構之間穿透下柵極層和上柵極層；以及第一接觸插塞，穿透第一上部結構和第二上部結構并與下柵極層和上柵極層間隔開。存儲器垂直結構包括具有至少一個彎曲部分的側表面。第一接觸插塞包括具有至少一個彎曲部分的側表面。存儲器垂直結構的側表面的所述至少一個彎曲部分和第一接觸插塞的側表面的所述至少一個彎曲部分設置在第一高度水平和第二高度水平之間，下柵極層中的最上面的柵極層設置在該第一高度水平上，上柵極層中的最下面的柵極層設置在該第二高度水平上。

根據本公開的一示例實施方式，一種半導體器件包括：下部結構，包括基板、在基板上的包括下焊盤的電路結構、覆蓋電路結構的下絕緣層以及在下部結構上的圖案結構和第一中間絕緣層；第一焊盤圖案，包括在第一中間絕緣層中的第一焊盤部分以及從第一焊盤部分向下延伸并電連接到下焊盤中的第一下焊盤的第一通路部分；接觸圖案，包括與圖案結構重疊并與圖案結構接觸的接觸部分、從接觸部分延伸到中間絕緣層中的延伸部分以及從延伸部分向下延伸并電連接到下焊盤中的第二下焊盤的第二通路部分；依次堆疊在圖案結構上的下柵極層和依次堆疊在下柵極層上的上柵極層；存儲器垂直結構，在圖案結構上穿透下柵極層和上柵極層；以及第一接觸插塞，在第一焊盤圖案上與下柵極層和上柵極層間隔開。接觸圖案和焊盤圖案具有彼此共面的上表面。接觸圖案的接觸部分具有第一厚度。延伸部分的至少一部分和焊盤部分的至少一部分具有大于第一厚度的第二厚度。

根據本公開的示例實施方式，一種半導體器件包括：下部結構；第一上部結構，包括下柵極層并在下部結構上；第二上部結構，包括上柵極層并在第一上部結構上；分隔結構，在下部結構上穿透第一上部結構和第二上部結構并延伸到下部結構中；存儲器垂直結構，穿透第一上部結構和第二上部結構并在分隔結構之間穿透下柵極層和上柵極層；以及接觸插塞，穿透第一上部結構和第二上部結構并與下柵極層和上柵極層間隔開。存儲器垂直結構包括具有至少一個彎曲部分的側表面。第一接觸插塞包括具有至少一個彎曲部分的側表面。存儲器垂直結構的側表面的所述至少一個彎曲部分和接觸插塞的側表面的所述至少一個彎曲部分設置在第一高度水平和第二高度水平之間，下柵極層中的最上面的柵極層設置在該第一高度水平上，上柵極層中的最下面的柵極層設置在該第二高度水平上。每個分隔結構包括穿透第一上部結構和第二上部結構的垂直部分以及延伸到下部結構中的下部分。在分隔結構中，與垂直部分相鄰的下部分的最大寬度大于與下部分相鄰的垂直部分的寬度。

附圖說明

從以下結合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其它的方面、特征和優點將被更清楚地理解，附圖中：