[發明專利]一種鎂提純裝置和方法

有效

• 申請號: 202110322459.3
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113061739B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 付超鵬;王飛;孫志龍;張小康
• 申請（專利權）人: 昆山慧封電子科技材料有限公司
• 主分類號: C22B9/02
• 分類號: C22B9/02;C22B9/04;C22B26/22
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

1.一種鎂提純方法，其特征在于，該方法采用一種鎂提純裝置，所述方法包括：

將鎂原料放入第一蒸餾室內，對所述第一蒸餾室抽真空至10~150Pa；

控制溫控層，加熱所述第一蒸餾室，將溫度升至560℃~600℃，保持80min~120min，使鎂原料發生升華；

調整收集板的傾斜角度至26°~32°，使升華后的鎂原料晶體在所述收集板上沉積；

將沉積后的鎂原料晶體收集到第一原料收集室內，并輸送至第二蒸餾室內；

控制加熱器，將所述第二蒸餾室內溫度升至560℃~600℃，保持120min~160min；

開啟電場發生器，對鎂原料晶體進行二次蒸餾處理；

在真空狀態下，對所述第一蒸餾室進行冷卻至室溫；

從第二原料收集室內取出經過二次蒸餾處理后的鎂原料晶體；

從第一雜質收集室和第二雜質收集室內取出經過二次蒸餾處理后的雜質；

所述鎂提純裝置包括：

第一蒸餾室；

真空泵，與所述第一蒸餾室連接；

溫控層，設于所述第一蒸餾室內；

收集板，設于所述第一蒸餾室內，位于所述溫控層上；

第一原料收集室，設于所述第一蒸餾室上，與所述收集板連接；

第二蒸餾室，與所述第一原料收集室連接，所述第二蒸餾室內設有電場發生器；以及

第二原料收集室，設于所述第二蒸餾室內；

其中，所述第一原料收集室為螺旋環繞式的設置在第一蒸餾室和第二蒸餾室之間。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

控制所述溫控層，所述溫控層控制溫度降低，將所述第一蒸餾室內溫度保持在300℃~320℃，使鎂原料中熔點低的雜質被析出，通過冷凝板收集鎂原料中熔點低于鎂的雜質。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電場發生器的直流電壓為50~100V，電流為180A~850A。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎂提純裝置還包括：

冷凝板，設于所述第一蒸餾室內。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎂提純裝置還包括：

第一雜質收集室，設于所述第二蒸餾室內，與所述第二原料收集室連接；

以及

第二雜質收集室，設于所述第二蒸餾室內，與所述第二原料收集室連接。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溫控層包括：

第一溫控層，設于所述第一蒸餾室底部；以及

第二溫控層，設于所述第一蒸餾室中部，所述收集板位于所述第二溫控

層上。