[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110322239.0 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN113078169A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 胡靜;宋亮;姜龍;許家豪;魯棟良;王江林;楊增剛;廖鵬宇;李浩昇;冉長松;劉長根;張繼川;李佳成;郭磊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧;王存霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括彎折區和綁定區,其特征在于,所述顯示基板還包括:
基底;
阻擋層,位于所述基底一側;
第一過孔,在所述基底上的正投影位于所述彎折區,所述第一過孔貫穿所述阻擋層和部分所述基底,以暴露所述基底;
第二過孔,在所述基底上的正投影位于所述綁定區,所述第二過孔貫穿部分所述阻擋層,以暴露所述阻擋層。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述基底為柔性基底,在所述綁定區,包括依次層疊設置在所述基底上的阻擋層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層和層間絕緣層;
所述第二過孔依次貫穿所述層間絕緣層、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述緩沖層和部分所述阻擋層。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述基底為柔性基底,在所述彎折區,包括依次層疊設置在所述基底上的阻擋層、緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層;
所述第一過孔依次貫穿所述層間絕緣層、所述柵極絕緣層、所述阻擋層、所述緩沖層和部分所述基底。
4.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-3任一項所述的顯示基板。
5.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
通過構圖工藝在所述基底一側依次制作阻擋層和有源層,所述有源層包括第一有源層和第二有源層,所述第一有源層在所述基底上的正投影位于顯示區,所述第二有源層在所述基底上的正投影位于綁定區;
通過構圖工藝形成第一過孔和第二過孔,所述第一過孔在所述基底上的正投影位于彎折區,且貫穿所述阻擋層和部分所述基底,以暴露所述基底;所述第二過孔在所述基底上的正投影位于所述綁定區,且貫穿部分所述阻擋層,以暴露所述阻擋層。
6.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述通過構圖工藝形成第一過孔和第二過孔,包括:
通過第一次構圖工藝,形成位于所述顯示區的第三過孔、位于所述彎折區的第四過孔和位于所述綁定區的第五過孔,所述第三過孔暴露出所述第一有源層,所述第五過孔暴露出所述第二有源層;
通過第二次構圖工藝,形成位于所述彎折區的第六過孔和位于所述綁定區的第七過孔,所述第六過孔貫穿所述阻擋層和部分所述基底,所述第七過孔貫穿部分所述阻擋層;其中:
所述第四過孔和所述第六過孔構成所述第一過孔,所述第五過孔和所述第七過孔構成所述第二過孔。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述通過第二次構圖工藝,形成位于所述彎折區的第六過孔和位于所述綁定區的第七過孔,包括:
通過第一次刻蝕,形成位于所述彎折區的第八過孔,以及形成覆蓋暴露出的所述第二有源層的保護層;
通過第二次刻蝕,形成位于所述彎折區的第九過孔和位于所述綁定區的第七過孔,所述第九過孔至少貫穿部分所述基底;其中:
所述第八過孔和所述第九過孔構成所述第六過孔。
8.根據權利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一次刻蝕之后,且所述第二次刻蝕之前,包括:
去除所述保護層。
9.根據權利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一次刻蝕,包括:采用包括四氟化碳、三氟甲烷和氬氣的氣體進行干法刻蝕;
和/或,所述第二次刻蝕,包括:采用包括四氟化碳和氧氣的氣體進行干法刻蝕。
10.根據權利要求5-9任一項所述的制作方法,其特征在于,所述通過構圖工藝在所述基底一側依次制作阻擋層和有源層之后,且所述通過構圖工藝形成第一過孔和第二過孔之前,包括:
在所述有源層遠離所述基底的一側依次制作柵極絕緣層和層間絕緣層;
所述第一過孔還貫穿所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層;
所述第二過孔還貫穿所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





