[發(fā)明專利]制備單晶硅的坩堝組件以及制備爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110322095.9
• 申請(qǐng)日: 2021-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113106538B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王雙麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 徐州鑫晶半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/10
• 分類號(hào): C30B15/10;C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 歐陽(yáng)高鳳

1.一種制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，包括：

內(nèi)鍋(10)，所述內(nèi)鍋(10)限定出盛放制備原材料的容納空間，所述內(nèi)鍋(10)的底壁與所述內(nèi)鍋(10)的側(cè)壁之間限定出R部(a)；

導(dǎo)熱層(20)，所述導(dǎo)熱層(20)設(shè)置在所述R部(a)處，以提高所述R部(a)的導(dǎo)熱效率；其中

所述內(nèi)鍋(10)與所述導(dǎo)熱層(20)的材料不同，且所述導(dǎo)熱層(20)的導(dǎo)熱性能高于所述內(nèi)鍋(10)的導(dǎo)熱性能；

所述內(nèi)鍋(10)包括：致密層(11)和氣泡層(12)，所述導(dǎo)熱層(20)設(shè)置在所述致密層(11)與所述氣泡層(12)之間；或所述導(dǎo)熱層(20)設(shè)置在所述氣泡層(12)外；或在所述R部(a)范圍內(nèi)所述致密層(11)與所述氣泡層(12)貼合，在所述R部(a)范圍外，所述致密層(11)與所述氣泡層(12)貼合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述氣泡層(12)的厚度大于或等于所述導(dǎo)熱層(20)的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述R部(a)的弧度為r1，所述導(dǎo)熱層(20)的弧度為r2，且滿足r2＜r1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述R部(a)的最高點(diǎn)的高度為L(zhǎng)1，所述導(dǎo)熱層(20)的最高點(diǎn)的高度為L(zhǎng)2，且滿足L1-5mm＜L2≤L1；

所述R部(a)的最低點(diǎn)的高度為L(zhǎng)3，所述導(dǎo)熱層(20)的最低點(diǎn)的高度為L(zhǎng)4，且滿足L3-5mm＜L4≤L3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述致密層(11)的內(nèi)表面與所述導(dǎo)熱層(20)朝向所述致密層(11)的一側(cè)的表面的間距恒定。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層(20)的外表面的上端與所述內(nèi)表面的上端之間的距離為L(zhǎng)5、所述導(dǎo)熱層(20)的外表面的下端與所述內(nèi)表面的下端之間的距離為L(zhǎng)6，所述導(dǎo)熱層(20)的外表面的中間區(qū)域與導(dǎo)熱層(20)的內(nèi)表面的中間區(qū)域之間的距離為L(zhǎng)7，且滿足L5≤L6＜L7或L6≤L5＜L7。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的坩堝組件(100)，其特征在于，所述坩堝組件(100)還包括外鍋(30)，所述外鍋(30)套設(shè)在所述內(nèi)鍋(10)外，所述內(nèi)鍋(10)構(gòu)造為石英件，所述導(dǎo)熱層(20)的材料由導(dǎo)熱性能優(yōu)于石英的鉬、鎢、石墨等材料中的一種或多種組成，所述外鍋(30)構(gòu)造為石墨件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單晶硅的坩堝組件(100)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層(20 )包括：在遠(yuǎn)離所述致密層(11)的方向上依次疊置的多層子導(dǎo)熱層，每個(gè)所述子導(dǎo)熱層的材料不同且在朝向所述致密層(11)的方向上，所述子導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱性能逐漸增強(qiáng)。

9.一種制備爐，其特征在于，包括：權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的坩堝組件(100)。