[發明專利]驅動裝置及其控制方法在審
| 申請號: | 202110322065.8 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN115133752A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 董潔;徐振慶;張偉強 | 申請(專利權)人: | 臺達電子企業管理(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙 |
| 地址: | 201209 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 裝置 及其 控制 方法 | ||
本發明提供一種驅動裝置及其控制方法,驅動裝置用于驅動功率開關,驅動裝置包括電源、耦接于電源的第一橋臂、并聯耦接于第一橋臂的第二橋臂、以及諧振電感,第一橋臂包括連接于第一中點的第一開關和第二開關,第二橋臂包括連接于第二中點的第一半導體器件和第二半導體器件,諧振電感耦接于第一中點與第二中點之間,控制方法包括:開通第一開關達第一時間周期,以使電源為功率開關的門極充電;響應于諧振電感的電流下降至第一閾值,再次開通第一開關達第二時間周期,以使第一中點的電位等于第二中點的電位。相較于傳統技術方案,本發明可以有效減小驅動損耗和抑制震蕩。
技術領域
本發明涉及電力電子技術領域,尤其涉及一種驅動裝置及其控制方法。
背景技術
根據SST(Solid state transformer)功率單元的技術開發需求,為實現高效率、高功率密度等目標提出了高頻化的需求。增加開關頻率是實現高功率密度的一個有效方法,高頻下可以用更少的匝數來減少變壓器繞組的尺寸和損耗,為絕緣留下更多的空間。
高頻化的功率變換器,其功率開關管的驅動損耗也會隨著頻率的升高而線性增加。輕載下,驅動損耗占總損耗的比例會增加,驅動損耗問題會更加顯著。當頻率進一步提高時,驅動損耗占總損耗的百分比慢慢變得不可接受,因此必須設法減小功率開關門極驅動損耗。
傳統方案一般采用推挽電路進行功率輸出,其主要是通過對功率開關管的門極電壓的控制,從而控制功率開關管的開通和關斷。圖1示出了傳統方案的推挽電路的拓撲結構。當開關管S1導通、開關管S2關斷時,電源VDD通過開關管S1、門極外接電阻Rg-ex和內部電阻Rg-in給功率開關管Q的門極電容Cgs充電,門極電壓上升,從而使功率開關管Q導通。當開關管S2導通、開關管S1關斷時,門極電容Cgs通過內部電阻Rg-in、門極外接電阻Rg-ex和開關管S2放電到電源VEE,門極電壓下降,從而使功率開關管Q關斷。此種傳統方案的驅動方式,其驅動損耗為:
Pgating=Qg×Vgs×fs
其中,Qg是功率開關管Q的門極電荷,Vgs是功率開關管Q的門極G和源極S之間的電壓,fs是功率開關管Q的開關頻率。
由上述公式可知,在此種傳統方案的驅動方式下,驅動損耗Pgating與開關頻率fs成正比。隨著開關頻率fs的升高,驅動損耗Pgating會顯著增加。
此種傳統方案的基本技術特征如下:(1)采用推挽電路進行功率輸出;(2)開關管Q的開關速度由門極外接驅動電阻Rg-ex來控制。但是,此種傳統方案存在以下缺點:(1)驅動損耗較高,且與開關頻率成正比,高頻化會導致損耗劇增;(2)在輕載下,驅動損耗占系統損耗的比例會上升。
現有技術還提出了一種無損驅動方案,在推挽輸出的基礎上增加了諧振電感Lr和二極管D1、D2,其拓撲和工作方式如圖2A和圖2B所示。
在t0時刻,開關管S1導通,電源VDD通過開關管S1、諧振電感Lr和內部電阻Rg-in給開關管Q的門極電容Cgs充電,門極電壓上升,功率開關管Q開始導通。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺達電子企業管理(上海)有限公司,未經臺達電子企業管理(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110322065.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





