[發明專利]一種在功率器件中排布金屬層的方法

在審

• 申請號: 202110321772.5
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113140622A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 喬伊·邁克格雷格
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/768
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種排布場效應器件的金屬層的方法，包括：

在硅表面上形成第一介電層；

在第一介電層中刻蝕圖案確定第一金屬層的位置；

在第一金屬層的位置中形成第一金屬層；

在第一介電層和第一金屬層上形成第二介電層；

在第二介電層中刻蝕圖案確定第二金屬層的位置；

在第二金屬層的位置中形成第二金屬層；

其中，所述第一金屬層和第二金屬層直接接觸，中間沒有通孔層。

2.如權利要求1所述的排布場效應器件的金屬層的方法，其中在第一介電層和第二介電層中刻蝕圖案的步驟均包括：

在目標介電層上形成光刻膠層；

在光刻膠層刻印圖案形成開口以暴露出需要刻蝕的介電層區域；

通過光刻膠層的開口刻蝕介電層；以及

移除光刻膠層。

3.如權利要求1所述的排布場效應器件的金屬層的方法，其中形成第一介電層和第二介電層的步驟均包括：

形成刻蝕阻擋層；

在刻蝕阻擋層上形成二氧化硅層；以及

在二氧化硅層上形成氮氧化硅層。

4.如權利要求3所述的排布場效應器件的金屬層的方法，其中所述刻蝕阻擋層的材料包括氮化硅。

5.一種功率場效應器件，包括：

第一介電層，位于硅表層；

第一金屬層，鑲嵌在第一介電層中；

第二介電層，位于第一介電層和第一金屬層之上；以及

第二金屬層，鑲嵌在第二介電層中；

其中，所述第一金屬層和第二金屬層直接接觸，中間沒有通孔層。

6.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第一介電層和第二介電層均包括：

刻蝕阻擋層；

位于刻蝕阻擋層之上的二氧化硅層；以及

位于二氧化硅層之上的氮氧化硅層。

7.如權利要求6所述的功率場效應器件，其中所述刻蝕阻擋層的材料包括氮化硅。

8.如權利要求6所述的功率場效應器件，其中所述刻蝕阻擋層的厚度小于150nm。

9.如權利要求6所述的功率場效應器件，其中所述二氧化硅層的厚度小于150nm。

10.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第一金屬層的厚度區間為0.12μm～0.38μm。

11.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第一金屬層的金屬線的最小線寬為0.12μm。

12.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第一金屬層的金屬線的最小線間距為0.12μm。

13.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第二金屬層的厚度區間為0.9μm～1.5μm。

14.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第二金屬層的金屬線的最小線寬為0.9μm。

15.如權利要求5所述的功率場效應器件，其中所述第二金屬層的金屬線的最小線間距為0.5μm。