[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110321586.1
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113073312B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹麗夢;劉學(xué)慶
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/52;C23C16/455
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括晶片傳輸模塊和至少一個(gè)工藝腔室，每個(gè)工藝腔室均包括多個(gè)反應(yīng)腔室，晶片傳輸模塊用于向每個(gè)工藝腔室中的多個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片，還包括控制裝置，用于在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量時(shí)，控制晶片傳輸模塊向工藝腔室中膜厚參數(shù)最小的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片。在本發(fā)明中，控制裝置能夠在當(dāng)前批次的剩余待加工晶片數(shù)量小于工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量時(shí)，根據(jù)各反應(yīng)腔室種的副產(chǎn)物鍍膜調(diào)整優(yōu)先級順序，使鍍膜厚度較小的反應(yīng)腔室優(yōu)先接收晶片并進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，提高了半導(dǎo)體工藝設(shè)備的腔室匹配性能，進(jìn)而提高了各反應(yīng)腔室產(chǎn)出晶片之間的一致性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

背景技術(shù)

原子層沉積技術(shù)(Atomic Layer Deposition，ALD)是一種半導(dǎo)體薄膜的制備技術(shù)。隨著電子元器件的發(fā)展進(jìn)程進(jìn)入到納米級工藝技術(shù)，ALD工藝沉積薄膜應(yīng)用更加廣泛，大產(chǎn)能的設(shè)備需求越來越多，

同樣，要求也越來越高。但基于ALD工藝的本身特性，生長速率低，

周期長，所需執(zhí)行工藝時(shí)間長，嚴(yán)重影響設(shè)備的產(chǎn)能和腔室的利用率。

為此，市面上出現(xiàn)了在一個(gè)工藝腔室(Process Module，PM)中設(shè)置多個(gè)反應(yīng)腔室(或稱反應(yīng)腔室，Reaction Chamber，RC)的腔室結(jié)構(gòu)，通過能夠同時(shí)運(yùn)輸多個(gè)晶片的機(jī)械手結(jié)構(gòu)可同時(shí)向工藝腔室中的多個(gè)反應(yīng)腔室同時(shí)取、放晶片，通過該設(shè)計(jì)組成的大產(chǎn)能平臺和大產(chǎn)能腔室能夠顯著提高機(jī)臺利用率、降低工藝成本。

然而，在利用現(xiàn)有的多腔半導(dǎo)體工藝設(shè)備進(jìn)行晶片加工生產(chǎn)時(shí)，常出現(xiàn)不同工藝腔室之間、乃至同一工藝腔室中的反應(yīng)腔室之間腔室環(huán)境差異過大的現(xiàn)象，導(dǎo)致產(chǎn)品片之間的一致性差，且反應(yīng)腔室常需要頻繁清洗，導(dǎo)致晶片產(chǎn)品良率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，該半導(dǎo)體工藝設(shè)備產(chǎn)出晶片的一致性好。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括晶片傳輸模塊和至少一個(gè)工藝腔室，每個(gè)所述工藝腔室均包括多個(gè)反應(yīng)腔室，所述晶片傳輸模塊用于向每個(gè)所述工藝腔室中的多個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括控制裝置，所述控制裝置用于在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的所述工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量時(shí)，控制所述晶片傳輸模塊向所述工藝腔室中膜厚參數(shù)最小的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片，其中，每個(gè)所述反應(yīng)腔室的膜厚參數(shù)與所述反應(yīng)腔室累計(jì)加工的晶片數(shù)量正相關(guān)。

可選地，所述控制裝置具體用于：

在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的所述工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量，且所述工藝腔室的多個(gè)反應(yīng)腔室未對應(yīng)有第一預(yù)設(shè)優(yōu)先級順序時(shí)，控制所述晶片傳輸模塊向所述工藝腔室中膜厚參數(shù)最小的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片。

可選地，所述控制裝置還用于：

在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的所述工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量，且所述工藝腔室中的多個(gè)反應(yīng)腔室對應(yīng)有所述第一預(yù)設(shè)優(yōu)先級順序時(shí)，控制所述晶片傳輸模塊向所述第一預(yù)設(shè)優(yōu)先級順序中的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片。

可選地，所述控制裝置具體用于：

在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的所述工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量，且所述工藝腔室中至少兩個(gè)反應(yīng)腔室的膜厚參數(shù)之間的差值大于預(yù)設(shè)差值時(shí)，控制所述晶片傳輸模塊向所述工藝腔室中膜厚參數(shù)最小的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片。

可選地，所述控制裝置還用于：

在待加工的晶片數(shù)量n小于當(dāng)前待接收晶片的所述工藝腔室中的反應(yīng)腔室數(shù)量，且所述工藝腔室中任意兩個(gè)反應(yīng)腔室的膜厚參數(shù)之間的差值均小于或等于預(yù)設(shè)差值時(shí)，控制所述晶片傳輸模塊向默認(rèn)優(yōu)先級順序中的前n個(gè)反應(yīng)腔室中放入晶片。