[發明專利]一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法有效
| 申請號： | 202110321383.2 | 申請日： | 2021-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN113086985B | 公開（公告）日： | 2022-04-15 |
| 發明（設計）人： | 張國華;常賀強 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | C01B33/06 | 分類號： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 朱艷華 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無含硫 氣體 排放 低成本 制備 硅化鉬 方法 | ||
1.一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法，其特征在于，將鉬源和還原劑按照一定比例混勻并壓制成型作為內層樣品，其次在內層樣品表面覆蓋一層一定量的脫硫劑，并在高溫1100-1600oC惰性氣氛條件下反應0.5-10h，當樣品反應完成并冷卻至室溫后剝離外部脫硫層，即得到硅化鉬；
所述的鉬源和還原劑的配料比為鉬源中MoS2的實際含量與還原劑中Si的實際含量的摩爾比是1：2.33-1：4；所述脫硫劑的用量為鉬源中MoS2中的硫元素全部以CaS形式被固定時所需理論量的1-4倍，其理論量是MoS2與CaO的摩爾比1：2。
2.根據權利要求 1所述的一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法，其特征在于，所述鉬源為以MoS2為主要成分的物質，包括輝鉬礦、鉬精礦或二硫化鉬試劑；所述還原劑以Si為主要成分的物質。
3.根據權利要求 1所述的一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法，其特征在于，所述剝離外部脫硫層包括脫硫層的破碎和分離兩步。
4.根據權利要求 1或3所述的一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法，其特征在于，脫硫劑在高溫下的脫硫反應方程式如下：
2CaO+2SiS＝2CaS+Si+SiO2 (1)
2CaO+SiS2＝2CaS+SiO2 (2)。
5.根據權利要求 1所述的一種無含硫氣體排放的低成本制備硅化鉬的方法，其特征在于，所述得到的硅化鉬為MoSi2、Mo5Si3或Mo3Si。
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