[發明專利]一種蒸發源

有效

• 申請號: 202110321264.7
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113061848B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 張久杰;季淵
• 申請（專利權）人: 南京昀光科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種蒸發源，其特征在于，包括坩堝、加熱絲和多個半導體制冷片；

所述加熱絲圍繞所述坩堝分布，多個所述半導體制冷片設置于所述加熱絲遠離所述坩堝的一側，且多個所述半導體制冷片沿環繞所述坩堝的方向依次排列；

每一所述半導體制冷片包括冷端和熱端，所述冷端用于制冷，所述熱端用于制熱；所述半導體制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端設置于鄰近所述坩堝的一側，所述第二制冷片的熱端設置于鄰近所述坩堝的一側；

沿環繞所述坩堝的方向所述第一制冷片和所述第二制冷片間隔分布，多個所述第一制冷片沿環繞所述坩堝的方向均勻分布，多個所述第二制冷片沿環繞所述坩堝的方向均勻分布。

2.根據權利要求1所述的蒸發源，其特征在于，還包括：

控制模塊和電源模塊，所述電源模塊分別與所述第一制冷片和所述第二制冷片連接；所述控制模塊用于根據所述蒸發源的工作狀態控制所述電源模塊為所述第一制冷片供電或控制所述電源模塊為所述第二制冷片供電。

3.根據權利要求2所述的蒸發源，其特征在于：

所述控制模塊用于在所述蒸發源處于升溫狀態時，控制所述電源模塊為所述第二制冷片供電，在所述蒸發源處于降溫狀態時，控制所述電源模塊為所述第一制冷片供電。

4.根據權利要求2所述的蒸發源，其特征在于：

所述第一制冷片和所述第二制冷片均包括第一絕緣層，設置于所述第一絕緣層上的多個N型半導體結構和多個P型半導體結構，以及設置于多個N型半導體結構和多個P型半導體結構遠離所述第一絕緣層一側的第二絕緣層；

所述N型半導體結構和所述P型半導體結構依次間隔設置；第一個所述N型半導體結構的第一端與所述電源模塊的正極連接，最后一個所述P型半導體結構的第一端與所述電源模塊的負極連接；第一個所述N型半導體結構的第二端與第一個所述P型半導體結構的第二端連接；

第k個所述N型半導體結構的第一端與第k-1個所述P型半導體結構的第一端連接，第k個所述N型半導體結構的第二端與第k個所述P型半導體結構的第二端連接，其中，k≥2，k為正整數；

所述第一制冷片的所述第一絕緣層靠近所述坩堝；

所述第二制冷片的所述第二絕緣層靠近所述坩堝。

5.根據權利要求4所述的蒸發源，其特征在于：

所述N型半導體結構和所述P型半導體結構通過金屬結構連接。

6.根據權利要求1所述的蒸發源，其特征在于：

在所述坩堝的深度方向上，所述第一制冷片的尺寸和所述第二制冷片的尺寸大于或等于所述坩堝的尺寸。

7.根據權利要求1所述的蒸發源，其特征在于，還包括：

設置于所述半導體制冷片遠離所述加熱絲一側的外廓層。

8.根據權利要求1所述的蒸發源，其特征在于：

所述坩堝為圓柱形或者所述坩堝為長方體形。