[發明專利]驅動基板及其制備方法、顯示面板在審
| 申請號: | 202110320975.2 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN113097229A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 高磊;何昆鵬 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種驅動基板,其特征在于,包括:
襯底;以及
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置于所述襯底上,所述薄膜晶體管包括子薄膜晶體管組件、源極以及漏極,所述子薄膜晶體管組件包括同軸且沿徑向由內向外依次設置的半導體層、第一絕緣層以及柵極,所述半導體層沿軸向依次具有源極接觸區、溝道區以及漏極接觸區,所述源極接觸區和所述漏極接觸區位于所述半導體層的端部,所述源極電連接于所述源極接觸區,所述漏極電連接于所述漏極接觸區。
2.根據權利要求1所述的驅動基板,其特征在于,所述子薄膜晶體管組件遠離所述襯底的外表面開設有第一開口和第二開口,所述第一開口和所述第二開口位于所述子薄膜晶體管組件的兩個端部,所述第一開口和所述第二開口依次貫穿所述柵極和所述第一絕緣層,并分別裸露出所述源極接觸區和所述漏極接觸區。
3.根據權利要求2所述的驅動基板,其特征在于,所述薄膜晶體管還包括第二絕緣層,所述第二絕緣層設置于所述襯底上,并覆蓋所述子薄膜晶體管組件,所述第二絕緣層上開設有第一接觸孔和第二接觸孔,所述第一接觸孔對應于所述第一開口,所述第二接觸孔對應于所述第二開口;
所述源極和所述漏極均設置于所述第二絕緣層遠離所述襯底的一側,所述源極通過所述第一接觸孔電連接至所述源極接觸區,所述漏極通過所述第二接觸孔電連接至所述漏極接觸區。
4.根據權利要求1所述的驅動基板,其特征在于,所述子薄膜晶體管組件具有相對設置的第一端面和第二端面,所述源極設置于所述第一端面對應于所述半導體層的部分上,所述漏極設置于所述第二端面對應于所述半導體層的部分上。
5.根據權利要求4所述的驅動基板,其特征在于,所述薄膜晶體管包括第二絕緣層,所述第二絕緣層設置于所述襯底上,并覆蓋所述子薄膜晶體管組件,所述第二絕緣層上開設有第一接觸孔和第二接觸孔,所述第一接觸孔位于所述第一端面對應于所述半導體層的部分上,并裸露出所述源極接觸區,所述第二接觸孔位于所述第二端面對應于所述半導體層的部分上,并裸露出所述漏極接觸區;
所述源極和所述漏極均設置于所述第二絕緣層遠離所述襯底的一側,所述源極通過所述第一接觸孔電連接至所述源極接觸區,所述漏極通過所述第二接觸孔電連接至所述漏極接觸區。
6.根據權利要求4所述的驅動基板,其特征在于,所述第一端面和所述第二端面與所述襯底所在平面之間的夾角均為銳角。
7.根據權利要求1-6任一項所述的驅動基板,其特征在于,所述驅動基板還包括柵線,所述柵線設置于所述襯底靠近所述柵極的一側,且與所述柵極電性連接。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1至7任一項所述的驅動基板。
9.一種驅動基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一襯底;
提供若干薄膜晶體管組件,并將若干所述薄膜晶體管組件轉移至所述襯底上,每一所述薄膜晶體管組件包括同軸且沿徑向由內向外依次設置的半導體基層、第一絕緣基層以及柵極基層;
將每一所述薄膜晶體管組件形成若干子薄膜晶體管組件,每一所述子薄膜晶體管組件包括同軸且沿徑向由內向外依次設置的半導體層、第一絕緣層以及柵極;
在每一所述子薄膜晶體管組件中,沿所述半導體層的軸向依次形成源極接觸區、溝道區以及漏極接觸區,所述源極接觸區和所述漏極接觸區位于所述半導體層的端部;以及
在所述源極接觸區和所述漏極接觸區上分別形成源極和漏極。
10.根據權利要求9所述的驅動基板,其特征在于,所述將若干所述薄膜晶體管組件轉移至所述襯底上的步驟之前,還包括:
在所述襯底上形成柵線,所述柵線用于與對應的所述薄膜晶體管組件中的柵極基層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





