[發明專利]一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法

在審

• 申請號: 202110320451.3
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113078349A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 唐浩林;王仲明;陳智偉;陳志華;詹心泉
• 申請（專利權）人: 光鼎銣業（廣州）集團有限公司
• 主分類號: H01M10/056
• 分類號: H01M10/056;H01M10/058;H01M10/0525;H01M10/42
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 張秋燕

1.一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：

（1）制備銣摻雜的LLZTO固態電解質：將鋰源、鑭源、鋯源、鉭源、銣源加入分散劑球磨混合12~24 h，在700~1200 °C高溫下進行燒結，球磨成粉末狀，加入分散劑，形成銣摻雜的LLZTO漿料；

（2）將步驟（1）所得銣摻雜的LLZTO漿料浸潤聚合物基底的兩面，置于100~120 °C真空爐中進行干燥，并在50～500 MPa下壓成50~100微米厚度的片狀陶瓷電解質；

（3）將步驟（2）所得片狀陶瓷電解質浸泡在離子液體中12~24 h，然后在100~120 °C真空烘干，得到形成LLZTO陶瓷基、聚合物和離子液體復合的固態電解質，即摻雜Rb的三元復合固態電解質。

2.根據權利要求1所述的一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在于步驟（1）中分散劑均采用N-甲基吡咯烷酮。

3.根據權利要求1所述的一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在于步驟（2）中聚合物基底膜選自PEO、PAN、PEC、PVP、PVDF、PPC中的一種，膜厚度控制在50~100μm。

4.根據權利要求1所述的一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在于步驟（3）中離子液體采用含鋰的離子液體[EMI_0.8Li_0.2][TFSI]。

5.根據權利要求1所述的一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在于所述鋰源選自氫氧化鋰、碳酸鋰、高氯酸鋰、雙三氟甲基磺酰亞胺鋰中的一種或者幾種；鑭源選自為氧化鑭、氫氧化鑭、碳酸鑭中的一種或幾種；所述鋯源選自氧化鋯、氫氧化鋯、碳酸鋯中的至少一種或者幾種；所述銣源選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣、氫氧化銣中的一種；所述鉭源選自氧化鉭和氫氧化鉭中的一種。

6.根據權利要求1所述的一種摻雜Rb的三元復合固態電解質的制備方法，其特征在所述鋰源、鑭源、鋯源、鉭源、銣源按金屬離子的Li、La、Zr、Ta、Rb的摩爾比來計為(7~8)：3：2：（0.5~1.5）：（0~1）；其中，銣源的量不為0。