[發明專利]一種尺寸可控復合框架平面材料及其制備方法與在細胞富集中的應用

有效

• 申請號: 202110320440.5
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113186164B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 韓璐璐;劉超;高曉蓉;賈凌云
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C12N5/09
• 分類號: C12N5/09
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責任公司 21212
• 代理人: 周媛媛;李馨

1.尺寸可控復合框架平面材料，其特征在于，所述復合框架平面材料由網狀納米纖維膜、支撐柱和基底組成，所述基底的一個表面上有納米陣列結構的支撐柱，網狀納米纖維膜鋪設在納米陣列結構的支撐柱上；所述支撐柱為硅納米陣列；所述支撐柱的高度為1000~10000nm；所述支撐柱的直徑為50~300nm；

所述網狀納米纖維膜為絲素/聚乳酸聚己內酯纖維網；濃度為4%~16%（w/v）；所述網狀納米纖維膜中纖維的直徑為50~500nm。

2.根據權利要求1所述的復合框架平面材料，其特征在于，所述基底為平面材料，其面積大小為1~100cm²。

3.根據權利要求1所述的復合框架平面材料，其特征在于，所述基底的材質包括鐵板、塑料板、銅板、紙板、陶瓷板、玻璃或硅片。

4.一種權利要求1?3中任一項所述的復合框架平面材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）采用電化學沉積合成法、水熱/溶劑熱合成法、模板合成法、CVD合成法中的一種制備具有納米陣列結構的支撐柱，并將支撐柱接到基底的一個表面上；或直接在基底的一個表面上采用金屬輔助刻蝕法、磁控濺射法，制備具有納米陣列結構的支撐柱；

（2）配置紡絲液，置于靜電紡絲設備中，將基底材料的具有支撐柱的一面向上，放于靜電紡絲儀的接收器上；紡絲液通過靜電紡絲設備噴出納米纖維，在納米陣列結構的支撐柱表面形成網狀結構的納米纖維膜，得到復合框架平面材料。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述金屬輔助刻蝕法為將基底依次放入腐蝕液、掩膜液和刻蝕液中處理，得到一個表面具有納米陣列結構的支撐柱的基底材料；所述腐蝕液包括氫氟酸，所述腐蝕液的濃度為0.1~1.0%（v/v）；所述掩膜液包括硝酸銀與氫氟酸的混合液，硝酸銀濃度為0.001~0.010%（w/v），氫氟酸濃度為1~10%（v/v）；所述刻蝕液包括雙氧水與氫氟酸的混合液，雙氧水濃度為0.1~1.0%（v/v），氫氟酸濃度為1~10%（v/v）。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，基底在掩膜液和刻蝕液中處理后，用去離子水清洗、晾干。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述紡絲液包括絲素蛋白、聚乳酸聚己內酯、聚氨酯、腈綸、聚乙烯醇中的一種或兩種混合溶液；當紡絲液為兩種溶液時，兩種溶液的質量比為1:10~10:1，所述紡絲液的濃度為4%~16%（w/v），所述紡絲液的溶劑包括六氟異丙醇、三氟乙酸或甲酸。

8.一種權利要求1~3中任一項所述的復合框架平面材料在細胞富集中的應用。