[發(fā)明專利]一種適用于高功率束流的薄膜降能器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110319140.5 | 申請日： | 2021-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN112911783A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李智慧;陳偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川大學(xué) |
| 主分類號： | H05H7/00 | 分類號： | H05H7/00;H05H13/00 |
| 代理公司： | 成都中弘信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51309 | 代理人： | 金苗 |
| 地址： | 610064 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 適用于 功率 薄膜 降能器 | ||
1.一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：包括真空管(1)，位于所述真空管(1)內(nèi)部、且內(nèi)部中空的銅基座(2)，環(huán)繞安裝在所述銅基座(2)內(nèi)部的冷卻水裝置(3)，設(shè)置在銅基座(2)內(nèi)部的薄膜(4)，和設(shè)置在所述真空管(1)管壁上、支撐固定所述銅基座(2)的支撐底座(5)，所述銅基座(2)與所述真空管(1)同軸設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述冷卻水裝置(3)包括環(huán)繞在所述銅基座(2)壁內(nèi)部的環(huán)繞水管(6)、和與所述環(huán)繞水管(6)連通的進(jìn)水管(7)和出水管(8)，所述進(jìn)水管(7)和出水管(8)另一端穿過所述支撐底座(5)延伸至所述真空管(1)外。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述銅基座(2)中空的部分為“T”形中空結(jié)構(gòu)(9)，所述“T”形中空結(jié)構(gòu)(9)包括上中空結(jié)構(gòu)和下中空結(jié)構(gòu)，所述薄膜(4)設(shè)置在上中空結(jié)構(gòu)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述薄膜(4)通過螺套壓蓋(10)固定安裝在所述銅基座(2)內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種適用于高功率束流的薄膜(4)降能器，其特征在于：所述螺套壓蓋(10)包括同軸連接的上蓋(11)和下蓋(12)、以及貫穿所述上蓋(11)和下蓋(12)中心的通孔(13)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述上蓋(11)半徑大于上中空結(jié)構(gòu)的半徑，所述下蓋(12)半徑與上中空結(jié)構(gòu)的半徑相同，所述通孔(13)半徑與下中空結(jié)構(gòu)半徑相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述螺套壓蓋(10)與所述薄膜(4)之間設(shè)置有墊片，所述墊片為環(huán)形結(jié)構(gòu)，且其內(nèi)半徑小于或等于下中空結(jié)構(gòu)半徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述薄膜(4)為金剛石薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述支撐底座(5)由銅或銅合金制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于高功率束流的薄膜降能器，其特征在于：所述真空管(1)兩端連接有法蘭(14)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川大學(xué)，未經(jīng)四川大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110319140.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
