[發明專利]一類氟硼二吡咯衍生物及其制備方法和利用其作為給體摻雜的光電探測器

有效

• 申請號: 202110318492.9
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113072589B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 劉淑娟;余波;趙強;陳曦;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: C07F15/00
• 分類號: C07F15/00;H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧霞

1.氟硼二吡咯衍生物作為光電探測器活性層給體材料的應用，其特征在于，所述氟硼二吡咯衍生物分子結構式為以下任意一種：

其中，n≥1。

2.一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，依次層疊設置有：ITO導電玻璃層、空穴傳輸層、活性層、空穴阻擋層、電子緩沖層、金屬陰極層；所述空穴傳輸層為PEDOT：PSS；所述活性層由異質結給體材料和異質結受體材料混合而成的異質結薄膜構成，所述異質結給體材料為權利要求1所述氟硼二吡咯衍生物，所述異質結受體材料為富勒烯或富勒烯衍生物；所述富勒烯衍生物為C₆₀、C₇₀、PC₆₁BM、PC₇₁BM中的任意一種；所述空穴阻擋層由具有較低的HOMO電位的電子傳輸材料組成；所述電子緩沖層由LiF組成；所述金屬陰極層為具有低功函數的金屬構成。

3.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述異質結薄膜的厚度為60-150nm。

4.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述異質結薄膜通過旋涂法制備。

5.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述空穴傳輸層的PEDOT：PSS薄膜是利用溶液法在ITO玻璃襯底上旋涂成膜，膜厚為20-40nm。

6.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述的空穴阻擋層為富勒烯材料C₆₀、TPBi、Balq，膜厚為8-12nm。

7.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述電子緩沖層膜厚為1-3nm。

8.根據權利要求2所述的一類氟硼二吡咯衍生物作為給體摻雜的光電探測器，其特征在于，所述金屬陰極層為Ag或Al薄膜，膜厚為80-120nm。