[發明專利]加工半導體晶片的方法、半導體晶片、夾和半導體器件

在審

• 申請號: 202110318330.5
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113451155A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: C·范柯林斯基;D·佩多內;M·皮欽;R·魯普;戴秋莉;黃佳藝
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/04;H01L23/13;H01L23/15;H01L23/49
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種用于加工半導體晶片的方法，所述方法包括：

提供包括第一主表面和與所述第一主表面相反的第二主表面的半導體晶片；

在半導體晶片內部產生缺陷，所述缺陷限定出平行于所述第一主表面的脫離平面；

加工所述第一主表面，以限定出多個電子半導體部件；

提供玻璃結構，所述玻璃結構包括多個開口；

將玻璃結構附接到經加工的第一主表面，所述多個開口中的每個分別使所述多個電子半導體部件的相應區域未被覆蓋；

將聚合物層施加到第二主表面；

通過將聚合物層冷卻到其玻璃化轉變溫度以下，將半導體晶片分裂成半導體切片和剩留的半導體晶片，所述半導體切片在第一主表面與脫離平面之間延伸并且包括所述多個電子半導體部件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：在將所述半導體切片從所述半導體晶片分裂之前，將另外的聚合物層施加到所述第一主表面。

3.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述半導體切片的厚度為大約或小于100μm、優選為大約或小于50μm。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述玻璃結構的厚度是所述半導體切片的厚度的至少四倍。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述多個電子部件通過切口線分離，所述切口線被所述玻璃結構覆蓋。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述方法還包括：將帶有所述附接的玻璃結構的所述半導體切片沿著所述切口線劃分割成半導體芯片。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括：將夾電連接到焊盤，所述焊盤布置在所述第一主表面上未被所述玻璃結構覆蓋的相應區域中。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述夾包括：

長度大于連接到焊盤的玻璃結構的厚度的第一部分；以及

被構造成延伸到端子的第二部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述夾包括以下中的至少一個：

-形成鉚接到第二部分的第一部分的鉚釘；

-被彎曲以形成第一部分和第二部分的單件。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的方法，其中，將所述夾連接到所述焊盤包括將粘合劑填充到所述玻璃結構的相應開口中。

11.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括：用剩留的半導體晶片作為半導體晶片重新開始所述方法。

12.一種半導體晶片，包括：

第一主表面和與第一主表面相反的第二主表面；

半導體晶片內部的平行于第一主表面的脫離平面，所述脫離平面由缺陷限定；

形成在第一主表面處且在第一主表面與脫離平面之間的多個電子半導體部件；

附接到第一主表面的玻璃結構，所述玻璃結構包括多個開口，所述多個開口中的每個分別使所述多個電子半導體部件的相應區域未被覆蓋。

13.一種用于電連接布置在玻璃結構中的開口的底部上的焊盤的夾，所述夾包括以下中的至少一個：

-形成夾的第一部分的鉚釘，所述鉚釘鉚接到所述夾的第二部分；

-被彎曲以形成第一部分和第二部分的單件金屬片，

其中，所述第二部分被構造成延伸到端子，所述第一部分具有為開口的寬度的大約一半或更大的寬度，并且被構造成直通延伸到所述開口的底部。