[發明專利]可變電容器在審
| 申請號： | 202110317371.2 | 申請日： | 2020-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN113066872A | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發明（設計）人： | 孫超;田武;江寧;鐘燦;薛磊 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L29/94 | 分類號： | H01L29/94;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人： | 楊錫勱;劉柳 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可變電容器 | ||
1.一種可變電容器，包括：
半導體襯底；
設置于所述半導體襯底中的阱區；以及
設置于所述半導體襯底上的柵電極，其中，所述柵電極的導電類型與所述阱區的導電類型互補；
其中，所述阱區是n型阱區，并且所述柵電極是p型柵電極；
以及其中，所述柵電極的功函數高于或等于5eV。
2.根據權利要求1所述的可變電容器，其中所述柵電極包括p型摻雜多晶硅。
3.根據權利要求1所述的可變電容器，其中所述柵電極的功函數高于所述半導體襯底的導帶。
4.根據權利要求1所述的可變電容器，還包括：
設置于所述阱區中并且分別設置于所述柵電極的兩個相對側的兩個源極/漏極區，其中所述兩個源極/漏極區中的每個包括n型摻雜區。
5.根據權利要求4所述的可變電容器，其中所述兩個源極/漏極區彼此電連接。
6.一種可變電容器，包括：
半導體襯底；
設置于所述半導體襯底中的阱區；以及
設置于所述半導體襯底上的柵電極，其中，所述柵電極的導電類型與所述阱區的導電類型互補；
其中，所述阱區是p型阱區，并且所述柵電極是n型柵電極；
以及其中，所述柵電極的功函數低于或等于4.1eV。
7.根據權利要求6所述的可變電容器，其中所述柵電極包括n型摻雜多晶硅。
8.根據權利要求6所述的可變電容器，其中所述柵電極的功函數低于所述半導體襯底的價帶。
9.根據權利要求6所述的可變電容器，還包括：
設置于所述阱區中并且分別設置于所述柵電極的兩個相對側的兩個源極/漏極區，其中所述兩個源極/漏極區中的每個包括p型摻雜區。
10.根據權利要求9所述的可變電容器，其中所述兩個源極/漏極區彼此電連接。
11.根據權利要求6所述的可變電容器，其中所述半導體襯底包括硅半導體襯底。
12.一種可變電容器，包括：
半導體襯底；
設置于所述半導體襯底中的p型阱區；以及
設置于所述半導體襯底上的柵電極，其中，所述柵電極的功函數低于所述半導體襯底的價帶；
其中所述柵電極包括金屬柵電極，并且所述柵電極的功函數低于或等于4.1eV。
13.根據權利要求12所述的可變電容器，還包括：
設置于所述p型阱區中并且分別設置于所述柵電極的兩個相對側的兩個源極/漏極區，其中所述兩個源極/漏極區中的每個包括p型摻雜區。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司，未經長江存儲科技有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110317371.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
