[發明專利]一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法在審
| 申請號： | 202110317325.2 | 申請日： | 2021-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN113035757A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發明（設計）人： | 熊繹;劉峻;高揚;張晶晶;顧思;朱穎怡 | 申請（專利權）人： | 江蘇中科新源半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;G05D27/02 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 管林林 |
| 地址： | 226500 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 蝕刻 液體 增壓 系統 控制 方法 | ||
1.一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述液體增壓系統應用于半導體制程過程中的更換，所述控制方法包括：
上位機（1）根據不同半導體制程提供液體增壓系統所需的操作目標命令；
監控液體增壓系統的操作參數；
確定用于液體增壓系統的所述操作目標命令與液體增壓系統的所述操作參數中的對應操作參數之間的誤差值；
所述誤差值大于15%L/Min時，使用PID控制器基于所述誤差值來確定排程的PID增益；
基于修改后的排程PID增益來確定用于液體增壓系統的系統控制命令，以及基于用于液體增壓系統的系統控制命令來控制液體增壓系統；
其中，所述排程的PID增益根據以下關系來確定：
其中，Kp時比例增益，Tt是積分時間常數，TD是微分時間常數，u（t）是PID控制器的輸出信號，e（t）是給定值r（t）與測量值之差。
2.根據權利要求1所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述操作目標命令包括流量參數指標。
3.根據權利要求1所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述PID控制器的輸出信號通過在液體管道上的比例閥（3）開度并計算轉化為脈沖信號。
4.根據權利要求3所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述比例閥（3）的開度計算包括如下步驟：
A、優先確定所述比例閥（3）的閉合和打開之間的間隔時間t1，在所述間隔時間t1內，至少完成所述比例閥（3）的一次打開狀態以及一次關閉狀態；
B、確定所述比例閥（3）打開狀態的時間t0，所述時間t0和所述時間t1的比值即PID計算的數值。
5.根據權利要求1所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述操作參數包括冷卻水流量、冷卻水流速。
6.根據權利要求5所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述冷卻水流量以及所述冷卻水流速通過流量計（2）實現。
7.根據權利要求1所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述液體增壓系統的動力為磁力泵（6），所述磁力泵（6）上電連接有熱繼電器（5）、接觸器（4）。
8.根據權利要求4所述的一種半導體蝕刻的液體增壓系統的控制方法，其特征在于：所述磁力泵（6）上選用PWM的控制電機。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
