[發(fā)明專(zhuān)利]一種LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110317206.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115132598A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐曉強(qiáng);程昌輝;吳向龍;閆寶華;王成新
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66;H01L33/00
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219
• 代理人: 陳桂玲

1.一種LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，包括步驟如下：

(1)陪片制作：清潔陪片表面后，使用粘性膜覆蓋陪片表面的部分區(qū)域，備好待用；

(2)膜層制作：將步驟(1)中的陪片放置于固定位置，然后和LED晶片一起進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜層制作，蒸鍍完成后將陪片取出；

(3)膜層厚度測(cè)量：去除步驟(2)中的陪片表面的粘性膜，測(cè)量有粘性膜覆蓋的區(qū)域和無(wú)粘性膜覆蓋區(qū)域的高度差，即為陪片表面蒸發(fā)鍍膜層的真實(shí)物理厚度；將步驟(2)中LED晶片取出后，在其表面制作保護(hù)圖形，通過(guò)腐蝕的方法制作出測(cè)量圖形，去膠后測(cè)量其厚度，即為L(zhǎng)ED晶片表面蒸鍍膜層的真實(shí)物理厚度；

(4)相對(duì)值計(jì)算：將步驟(3)得出的陪片表面蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度和LED晶片表面蒸鍍膜層的真實(shí)物理厚度進(jìn)行差值計(jì)算，所得差值即為蒸鍍位置導(dǎo)致的相對(duì)值；

(5)膜層厚度計(jì)算：每次蒸鍍前按照步驟(1)和步驟(2)進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜層制作，制作完成后，按照步驟(3)測(cè)量陪片表面蒸發(fā)鍍膜層的真實(shí)物理厚度，將陪片表面蒸發(fā)鍍膜層的真實(shí)物理厚度數(shù)值減去相對(duì)值即為本次蒸鍍后LED晶片表面蒸鍍膜層的真實(shí)物理厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(1)中，所述粘性膜為耐高溫膠帶，一面光滑，另一面具有粘性，材質(zhì)為聚酰亞胺硅膠，耐溫溫度在150℃以上。

3.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(1)中，所述部分區(qū)域?yàn)榕闫砻婷娣e的10～90％。

4.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(1)中，所述部分區(qū)域?yàn)榕闫砻婷娣e的10～30％。

5.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的陪片為光學(xué)玻璃或不銹鋼片。

6.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(2)中，所述LED晶片包括但不限于GaN、GaAs、Si晶片。

7.如權(quán)利要求1所述的LED蒸發(fā)鍍膜層真實(shí)物理厚度的測(cè)量方法，其特征在于，步驟(3)中，所述測(cè)量使用的儀器為臺(tái)階儀，測(cè)量精度可以達(dá)到1埃，型號(hào)為XP-2。