[發明專利]一種鉻硅合金濺射靶材的制備方法

有效

• 申請號: 202110315792.1
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113073299B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;楊慧珍
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14;C22C27/06;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/24
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種鉻硅合金濺射靶材的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

(1)保護氣氛下球磨混合鉻粉與硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的質量分數不超過16wt％；所述鉻粉的粒徑75μm，硅粉的粒徑3μm；

(2)步驟(1)所得混合料裝模壓實，然后進行抽真空處理；

(3)完成步驟(2)所述抽真空處理后，進行溫度為1100-1200℃的第一熱處理，第一熱處理過程中壓力不超過6MPa；

(4)依次進行第二熱處理、第一加壓、第二加壓與保溫保壓；所述第二熱處理的溫度為1280-1350℃；所述第一加壓為均勻加壓至20MPa；所述第二加壓為均勻加壓至30MPa；所述保溫保壓的時間為100-150min；

(5)保溫保壓結束后進行保護性氣體置換，至壓力為-0.06MPag至-0.08MPag，然后進行隨爐冷卻；

(6)機加工至所需尺寸，完成鉻硅合金濺射靶材的制備。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述鉻粉的粒徑為30-60μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鉻粉的純度≥5N。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅粉的純度≥5N。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述保護氣氛所用氣體包括氮氣和/或惰性氣體。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氦氣、氖氣或氬氣中的任意一種或至少兩種的組合。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述球磨混合的研磨球包括硅球和/或鉻球。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述球磨混合的料球比為(8-12):1。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述球磨混合的時間≥36h。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述裝模壓實后，平面度≤0.5mm。

11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述抽真空處理的終點為真空度降至100Pa以下。

12.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述第一熱處理的升溫速率為5-10℃/min。

13.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述第一熱處理的保溫時間為80-100min。

14.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述第二熱處理的升溫速率為4-6℃/min。

15.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述第二熱處理的保溫時間≥1h。

16.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述第一加壓的時間為30-60min。

17.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述第二加壓的時間為30-60min。

18.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述保護性氣體包括氮氣和/或惰性氣體。

19.根據權利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氦氣、氖氣或氬氣中的任意一種或至少兩種的組合。