[發明專利]有源超表面強輻照場性能測試裝置及系統

有效

• 申請號: 202110315712.2
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113063994B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 張繼宏;李楊飛;林銘團;徐明;毋召鋒;劉培國;劉繼斌
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225
• 代理人: 周達

1.有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：包括標準波導、第一高阻抗表面、第二高抗阻表面、第一波導同軸轉換裝置和第二波導同軸轉換裝置，所述標準波導是由第一標準波導和第二標準波導通過第一法蘭盤對接而成，且待測試的有源超表面樣品通過第一法蘭盤夾取在第一標準波導和第二標準波導之間；第一高阻抗表面、第二高阻抗表面分別對稱貼設在標準波導的中間位置處的上下側壁上，第一波導同軸轉換裝置和第二波導同軸轉換裝置分別連接在標準波導的左右兩端，第一波導同軸轉換裝置和第二波導同軸轉換裝置均設有SMA連接器。

2.根據權利要求1所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：第一標準波導和第二標準波導的型號尺寸完全相同。

3.根據權利要求1所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：第一波導同軸轉換裝置和第二波導同軸轉換裝置的型號尺寸完全相同。

4.根據權利要求3所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：第一波導同軸轉換裝置和第二波導同軸轉換裝置分別通過第二法蘭盤和第三法蘭盤與標準波導連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：所述第一高阻抗表面、第二高抗阻表面采用結構尺寸完全相同的高阻抗表面。

6.根據權利要求5所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：所述高阻抗表面包括介質基板層、貼設在介質基板層上表面的貼片陣列以及貼設在介質基板層下表面的金屬地層，所述貼片陣列由一系列按照陣列排布的金屬方形貼片單元組成，每一個金屬方形貼片單元的中心設置有方形金屬貼片，每一個金屬方形貼片單元的方形金屬貼片中心位置設有金屬通孔，金屬通孔貫穿介質基板層與金屬地層連接。

7.根據權利要求6所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：所述介質基板層的材質為FR4。

8.根據權利要求6所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：所述的第一高阻抗表面、第二高抗阻表面其貼設有貼片陣列的一側面在外，第一高阻抗表面、第二高抗阻表面其貼設有金屬地層的一側面在內且分別與標準波導的上、下側壁緊貼。

9.根據權利要求8所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，其特征在于：第一高阻抗表面、第二高阻抗表面的寬度與標準波導的上、下側壁的寬度相同。

10.有源超表面強輻照場性能測試系統，其特征在于：包括權利要求1、2、3、4、6、7、8或9所述的有源超表面強輻照場性能的測試裝置，有源超表面強輻照場性能的測試裝置中的第一波導同軸轉換裝置的SMA連接器與衰減器的輸入端相連，衰減器的輸出端與矢量網絡分析儀的輸入端相連，矢量網絡分析儀的輸出端與功率放大器輸入端連接，功率放大器輸出端連接有源超表面強輻照場性能的測試裝置中的第二波導同軸轉換裝置的SMA連接器，將待測試的有源超表面樣品通過第一法蘭盤夾緊，通過第一高阻抗表面、第二高阻抗表面在標準波導內部形成均勻平面波輻照場，通過功率放大器放大輸入信號，在標準波導內部形成高功率的均勻的準TEM輻照場，通過矢量網絡分析儀對待測試的有源超表面樣品進行性能測試。