[發明專利]掩模版的監測圖形、掩模版及掩模版的監測方法

在審

• 申請號: 202110314521.4
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113031389A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 李偉峰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種掩模版的監測圖形，其特征在于，包括：

主圖形區，包括第一圖形分區、第二圖形分區、第三圖形分區和第四圖形分區四個圖形分區，所述第二圖形分區、所述第三圖形分區和所述第四圖形分區分別由所述第一圖形分區以所述主圖形區的幾何中心為中心旋轉90°、180°和270°而成，且四個所述圖形分區內均包括若干個相同且平行的線條圖形，其中，所述第一圖形分區和所述第三圖形分區的線條圖形均沿第一方向排列，所述第二圖形分區和所述第四圖形分區的線條圖形均沿第二方向排列，所述第一方向與所述第二方向垂直；

所述第一圖形分區與所述第二圖形分區之間具有第一關鍵特征尺寸，所述第二圖形分區與所述第三圖形分區之間具有第二關鍵特征尺寸，所述第三圖形分區與所述第四圖形分區之間具有第三關鍵特征尺寸，所述第四圖形分區與所述第一圖形分區之間具有第四關鍵特征尺寸，在俯視圖上，所述第一關鍵特征尺寸、所述第二關鍵特征尺寸、所述第三關鍵特征尺寸及所述第四關鍵特征尺寸相同。

2.如權利要求1所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，所述第一關鍵特征尺寸、所述第二關鍵特征尺寸、所述第三關鍵特征尺寸及所述第四關鍵特征尺寸的范圍均為120nm～800nm。

3.如權利要求1所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，四個所述圖形分區的線條圖形的數量和寬度均相同。

4.如權利要求1所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，每一個所述圖形分區中的相鄰線條圖形之間的距離與所述線條圖形的寬度相同。

5.如權利要求1所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，四個所述圖形分區的線條圖形的寬度范圍均為200nm～1000nm，四個所述圖形分區的線條圖形的長度范圍均為2000nm～8000nm。

6.如權利要求1所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，所述監測圖形還包括圖形禁止區域，所述主圖形區設置于所述圖形禁止區域內，且所述主圖形區的幾何中心與所述圖形禁止區域的幾何中心重合。

7.如權利要求6所述的掩模版的監測圖形，其特征在于，所述主圖形區的外圍與所述圖形禁止區域的外圍之間的距離大于任一所述圖形分區的線條圖形的寬度。

8.一種掩模版，其特征在于，包括設計圖形及若干組如權利要求1-7任一項所述的監測圖形。

9.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述設計圖形為產品的設計圖形或測試的設計圖形。

10.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述設計圖形和所述監測圖形為在同一圖形寫入工藝條件下形成的。

11.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述監測圖形位于掩模版的切割道區內，且所述監測圖形的圖案寬度小于或等于切割道區的寬度。

12.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，以所述掩模版的中心點為中心，所述監測圖形在掩模版上呈放射狀均勻分布或呈陣列均勻分布。

13.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，不同組的所述監測圖形對應的四個圖形分區的尺寸相同或不同，不同組的所述監測圖形對應的四個圖形分區的線條圖形的寬度相同或不相同。

14.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，不同組的監測圖形對應的第一關鍵特征尺寸、第二關鍵特征尺寸、第三關鍵特征尺寸及第四關鍵特征尺寸相同或不同。