[發明專利]基于PbSe薄膜的自供電光位置靈敏探測器有效
| 申請號: | 202110314279.0 | 申請日: | 2021-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN113193061B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 馬繼奎;喬雙;陳明敬;閆國英;王淑芳 | 申請(專利權)人: | 河北大學 |
| 主分類號: | H01L31/0336 | 分類號: | H01L31/0336;H01L31/102;G01B11/00 |
| 代理公司: | 石家莊國域專利商標事務所有限公司 13112 | 代理人: | 張莉靜 |
| 地址: | 071002 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 pbse 薄膜 自供 電光 位置 靈敏 探測器 | ||
1.一種基于PbSe薄膜的自供電光位置靈敏探測器,其特征在于,包括單晶Si基片以及生長在所述單晶Si基片上的PbSe薄膜層,在所述PbSe薄膜層上設置有呈中心對稱分布的第一電極和第二電極,在所述第一電極與第二電極之間連接有導線,所述導線上串聯有電壓表或示波器;所述PbSe薄膜層為納米光響應薄膜層;所述PbSe薄膜層的厚度為10~20nm。
2.根據權利要求1所述的自供電光位置靈敏探測器,其特征在于,所述第一電極和第二電極采用銦、金或銀。
3.根據權利要求1所述的自供電光位置靈敏探測器,其特征在于,所述第一電極和第二電極的形狀均為圓形或正方形,圓形的直徑或正方形的邊長均不超過1mm。
4.根據權利要求1所述的自供電光位置靈敏探測器,其特征在于,所述的導線為銀導線或銅導線,導線的直徑為100~250μm。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





