[發明專利]分柵存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 202110313048.8
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113013255A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 于濤;李冰寒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L27/11521;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種分柵存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底的存儲單元區包括連接分區和功能分區；

第一柵極結構和第二柵極結構，設置在所述存儲單元區，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構均包括依次設置在所述襯底上的浮柵、柵間介質層及控制柵，且所述第二柵極結構是所述第一柵極結構的鏡像；

源極區，設置在所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間的所述襯底內；

電連接件，包括第一電連接件和第二電連接件；

其中，在所述連接分區，所述第一電連接件分別連接所述第一柵極結構和所述第二柵極結構的控制柵，所述第二電連接件連接所述源極區，所述第一電連接件和所述第二電連接件電性連接。

2.如權利要求1所述的分柵存儲器，其特征在于，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構還包括第一側墻和第二側墻，所述第一側墻位于所述柵間介質層上，覆蓋所述控制柵靠近所述源極區的一側，所述第二側墻位于所述襯底上，覆蓋所述第一側墻及所述控制柵、所述柵間介質層靠近所述源極區的一側。

3.如權利要求2所述的分柵存儲器，其特征在于，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構還包括第三側墻，所述第三側墻覆蓋所述浮柵、所述柵間介質層及所述控制柵異于所述源極區的一側。

4.如權利要求3所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構的控制柵上還設置有保護層，所述保護層呈楔形，所述楔形的直角面異于所述源極區，所述楔形的斜面靠近所述源極區，所述第一側墻覆蓋部分所述斜面，所述第二側墻覆蓋所述斜面未被所述第一側墻覆蓋的部分，所述第三側墻覆蓋所述保護層的直角面。

5.如權利要求4所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，所述第二側墻還覆蓋所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間的襯底表面。

6.如權利要求5所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間設置有擦除柵，所述擦除柵位于所述第二側墻上。

7.如權利要求6所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，所述擦除柵上還形成有擦除柵保護層。

8.如權利要求3所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，還包括覆蓋所述第三側墻的字線及字線側墻。

9.如權利要求8所述的分柵存儲器，其特征在于，在所述功能分區，所述字線異于所述源極區的一側的襯底內形成有漏極區。

10.如權利要求9所述的分柵存儲器，其特征在于，所述電連接件還包括第三電連接件，所述第三電連接件連接所述漏極區。

11.如權利要求10所述的分柵存儲器，其特征在于，還包括層間介質層及位于所述層間介質層上的金屬層，所述層間介質層覆蓋所述襯底、所述第一柵極結構及所述第二柵極結構，所述第一電連接件貫穿所述層間介質層連接所述控制柵和所述金屬層，所述第二電連接件貫穿所述層間介質層連接所述源極區和所述金屬層，所述第三電連接件貫穿所述層間介質層連接所述漏極區和所述金屬層，且所述第一電連接件和所述第二電連接件通過所述金屬層電性連接。

12.如權利要求1所述的分柵存儲器，其特征在于，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構的浮柵與所述襯底之間還形成有柵氧化層。