[發(fā)明專利]一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110312269.3 | 申請日: | 2021-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN115133378A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陶鎮(zhèn)生;劉昌勤;吳義政;田傳山;張盛;王順甲 | 申請(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號: | H01S1/02 | 分類號: | H01S1/02 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 趙繼明 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 結(jié)構(gòu) 自旋 電子器件 偏振 赫茲 輻射 裝置 | ||
1.一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,包括多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),該多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)包括相互堆疊的磁性金屬材料層和非磁金屬材料層,所述磁性材料層包括鐵磁、亞鐵磁金屬材料;所述非磁層采用具有高自旋-電荷轉(zhuǎn)化效率的金屬材料,所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)在平面內(nèi)為線柵結(jié)構(gòu);
通過飛秒激光脈沖激發(fā)磁化后的磁性材料層中的自旋極化電子,然后經(jīng)過非磁層轉(zhuǎn)化為平面內(nèi)的瞬態(tài)電流,從而產(chǎn)生太赫茲輻射;通過改變所述自旋極化電子的偏振方向,從而改變所述瞬態(tài)電流在線柵結(jié)構(gòu)中的分布,實現(xiàn)對寬頻強場太赫茲橢偏度及手性的調(diào)控。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,通過對所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)施加磁場,造成磁性材料層電子自旋的極化,產(chǎn)生所述飛秒激光脈沖激發(fā)產(chǎn)生的自旋極化電荷流;通過改變所述磁場與平面內(nèi)線柵結(jié)構(gòu)的角度,改變所述自旋極化電子在非磁層中的偏轉(zhuǎn)方向,從而改變所述瞬態(tài)電流在線柵結(jié)構(gòu)中的時間-空間分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述線柵平行于所述磁性層和非磁層的接觸界面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述磁性金屬層的材質(zhì)為鐵磁材料包括Fe50Co50、Fe、Co、Ni、CoFeB、FeCo、FeNi(Py)、鐵磁哈斯勒合金,亞鐵磁材料包括FeGd、CoGd。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述具有高自旋-電荷轉(zhuǎn)化效率的金屬材料包括轉(zhuǎn)化機制為反自旋霍爾效應(yīng)的材料;所述轉(zhuǎn)化機制為反自旋霍爾效應(yīng)的材料包括Pt、Ta、Pd、W或IrMn。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)由襯底支撐,該襯底的材料為二氧化硅、氧化鎂、玻璃、藍寶石、有機玻璃、硅片或柔性襯底,襯底具有50微米至1厘米厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有覆蓋層,該覆蓋層的材料為Al2O3或SiO2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中的光柵結(jié)構(gòu)通過微納加工獲取。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中的線柵結(jié)構(gòu)由多根平行排列的磁性非磁性金屬條組成,單根所述金屬條的長度在100微米以上、寬度在100納米至100微米范圍以內(nèi);線柵周期在100納米至1000微米范圍以內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于線柵結(jié)構(gòu)自旋電子器件的圓偏振太赫茲輻射裝置,其特征在于,所述飛秒激光脈沖具有1飛秒至1皮秒范圍內(nèi)的時間長度,具有200納米至2微米范圍內(nèi)的波長,施加在所述多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)上的能量密度至少0.1nJ/cm2。
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