[發明專利]紅光發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 202110311944.0
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113224214B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 邢振遠;李彤;王世俊;曹敏;孫建建
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述紅光發光二極管外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型AlGaInP電流擴展層、n型AlInP限制層、發光層、p型AlInP限制層、p型AlGaAs歐姆接觸層、p型AlGaAs電流擴展層、p型AlGaInP過度層與p型GaP電流擴展層，所述p型AlGaAs歐姆接觸層中Al組分為40~60%，所述p型AlGaAs歐姆接觸層中的Al組分，小于所述p型AlGaAs電流擴展層中Al組分，所述p型AlGaAs電流擴展層中Al組分為40~60%。

2.根據權利要求1所述的紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs歐姆接觸層的厚度為500~1000nm。

3.根據權利要求1或2所述的紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs電流擴展層的厚度大于所述p型AlGaAs歐姆接觸層的厚度。

4.根據權利要求1或2所述的紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs電流擴展層的厚度為4~5um。

5.根據權利要求1或2所述的紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs歐姆接觸層中摻有碳，所述p型AlGaAs電流擴展層摻有鎂。

6.根據權利要求1或2所述的紅光發光二極管外延片，其特征在于，所述p型AlGaInP過度層的厚度為20~30nm。

7.一種紅光發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述紅光發光二極管外延片制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長n型AlGaInP電流擴展層；

在所述n型AlGaInP電流擴展層上生長n型AlInP限制層；

在所述n型AlInP限制層上生長發光層；

在所述發光層上生長p型AlInP限制層；

在所述p型AlInP限制層上生長p型AlGaAs歐姆接觸層；

在所述p型AlGaAs歐姆接觸層上生長p型AlGaAs電流擴展層，所述p型AlGaAs歐姆接觸層中Al組分為40~60%，所述p型AlGaAs歐姆接觸層中的Al組分，小于所述p型AlGaAs電流擴展層中Al組分，所述p型AlGaAs電流擴展層中Al組分為40~60%；

在所述p型AlGaAs電流擴展層上生長p型AlGaInP過度層；

在所述p型AlGaInP過度層上生長p型GaP電流擴展層。